[发明专利]支撑装置及反应腔室

说明书

本发明提供一种支撑装置及反应腔室，包括支撑部件、设置于支撑部件上的卡紧部件、以及限位结构，卡紧部件能够相对于支撑部件转动，限位结构用于限定卡紧部件在第一角度与第二角度之间转动，其中，卡紧部件包括卡槽，卡槽用于承载并卡紧衬底；当卡紧部件转动至第一角度时，卡槽的开口相对水平面倾斜向上设置，以承载衬底；在衬底移入卡槽的过程中，依靠衬底的重力作用卡紧部件能自第一角度转动至第二角度，以将衬底卡紧。本发明提供的支撑装置及反应腔室能够避免衬底在工艺过程中产生滑移，并且避免衬底发生变形甚至损坏。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备技术领域，具体地，涉及一种支撑装置及反应腔室。

背景技术

近年来，半导体设备发展迅速，涉及半导体、集成电路、微电子等，而这些器件主要是由在衬底(即晶圆)上形成的数层材质厚度不同的薄膜组成，因此，作为半导体设备核心的成膜设备，是决定半导体器件薄膜生长的质量和成品率的重要因素。

通常，半导体成膜设备在反应腔室内包括用于放置衬底的基座，机械手将衬底与反应气体喷淋头同心放置于基座上表面后，基座上升至工艺位置后就可以进行成膜工艺。然而，现有技术的成膜方法往往会导致薄膜不均匀，其原因在于：

第一，当衬底被放置于基座上后，反应腔室内的压力会降压到工艺压强，由于衬底没有固定，该抽气过程会导致衬底的漂移，从而使得衬底与反应气体喷淋头不同心；

第二，当基座升降时，由于衬底没有固定，基座的升降过程会造成衬底漂移，也会使得成膜过程中衬底与反应气体喷淋头不同心；

第三，在成膜工艺中基座旋转时，由于衬底没有固定，基座的旋转也会造成衬底移动，使得衬底与反应气体喷淋头不同心，甚至将衬底甩出基座，造成衬底破碎；

第四，在连续多腔室成膜工艺，以形成的数层材质厚度不同的薄膜的过程中，由于衬底位置超差会造成工艺的中断。

综上所述，在现有技术中，由于衬底没有被固定，使得衬底在基座上的位置发生偏移，导致衬底与反应气体喷淋头不同心，从而会降低成膜的均匀性，增加产品的不合格率。因此，如何避免衬底在成膜工艺过程中产生滑移，已成为本领域技术人员需要解决的技术。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种支撑装置及反应腔室，其能够避免衬底在工艺过程中产生滑移，并且避免衬底发生变形甚至损坏。

为实现本发明的目的而提供一种支撑装置，包括支撑部件、设置于所述支撑部件上的卡紧部件、以及限位结构，所述卡紧部件能够相对于所述支撑部件转动，所述限位结构用于限定所述卡紧部件在第一角度与第二角度之间转动，其中，

所述卡紧部件包括卡槽，所述卡槽用于承载并卡紧衬底；

当所述卡紧部件转动至所述第一角度时，所述卡槽的开口相对水平面倾斜向上设置，以承载所述衬底；在所述衬底移入所述卡槽的过程中，依靠所述衬底的重力作用所述卡紧部件能自所述第一角度转动至所述第二角度，以将所述衬底卡紧。

优选的，所述卡紧部件包括卡紧本体和沿所述卡紧本体向外伸出的两个相对的悬臂，两个所述悬臂之间设有可旋转的滑轮，所述滑轮用于承载所述衬底；

所述卡紧本体具有卡紧斜面，所述卡紧斜面与所述悬臂的顶面所形成的角度为锐角，且所述卡紧斜面与所述悬臂的顶面形成所述卡槽。

优选的，所述限位结构包括第一凸块，所述第一凸块设置在所述支撑部件上，当所述卡紧部件转动至所述第二角度时，所述卡紧部件与所述第一凸块相抵；或者，

所述第一凸块设置在所述卡紧部件上，当所述卡紧部件转动至所述第二角度时，所述第一凸块与所述支撑部件相抵。