[发明专利]蒸镀源、蒸镀装置在审
申请号: | 201811172998.8 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109023260A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 刘晓云 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸镀源 治具 开口 蒸镀装置 中心区域 蒸镀 基板相对设置 真空成膜装置 基板表面 蒸镀材料 逐渐增大 均一性 沉积 成膜 镀膜 基板 排布 | ||
本发明提供一种蒸镀源、蒸镀装置,属于显示技术领域,其可解决现有的真空成膜装置的成膜均一性较差的问题。本发明的蒸镀源包括蒸镀本体,其与待进行镀膜的基板相对设置,用于向所述基板表面沉积蒸镀材料,所述蒸镀源还包括:设置在所述蒸镀本体与所述基板之间的治具,所述治具包括多个开口,多个所述开口围绕所述治具的中心区域排布,且沿着远离所述中心区域的方向,所述开口的宽度逐渐增大。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种蒸镀源、蒸镀装置。
背景技术
目前,真空成膜设备是实现有机电致发光产品的必需设备,该设备的成膜均一性是保证产品性能稳定性的重要考量点。
现有技术中,常通过增大真空成膜设备中的坩埚与基板之间的间距,或者采用线蒸镀源的方式对基板进行蒸镀成膜,以此来保证材料成膜均一性。然而,发明人发现:坩埚与基板之间的间距越大,蒸镀材料的利用率就越低;而且,线蒸镀源占用空间较大,其并不适用于对小尺寸的基板进行蒸镀成膜。也就是说,以上两种改进方式虽解决了材料成膜均一性的问题,但其均会带来一些负面影响,故上述两种改进方式的实用性并不高。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种提高蒸镀成膜均一性的蒸镀源、蒸镀装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种蒸镀源,包括:蒸镀本体,其与待进行镀膜的基板相对设置,用于向所述基板表面沉积蒸镀材料,所述蒸镀源还包括:设置在所述蒸镀本体与所述基板之间的治具,所述治具包括多个开口,多个所述开口围绕所述治具的中心区域排布,且沿着远离所述中心区域的方向,所述开口的宽度逐渐增大。
优选的是,多个所述开口围绕所述中心区域均匀排布。
优选的是,还包括:蒸镀容纳室、连接轴;
所述蒸镀容纳室为中空结构,所述治具、蒸镀本体、连接轴均位于所述中空结构内,且所述连接轴的第一端与所述治具连接,其的第二端与所述蒸镀容纳室的内壁固定连接,用于将所述治具固定在所述蒸镀本体与所述基板之间。
优选的是,所述连接轴的形状与所述开口的形状一致。
优选的是,还包括:转动组件、驱动组件;
所述转动组件的一端与所述连接轴的第一端连接,另一端与所述治具的中心区域连接;
所述驱动组件与所述转动组件连接,用于驱动转动组件转动,以带动所述治具发生转动。
优选的是,所述转动组件的转速为50~1000r/s。
优选的是,还包括:吸热组件,其设置在所述连接轴靠近所述基板的一侧上,用于吸收蒸镀本体所散发的热量。
优选的是,所述治具的材料为金属材料。
优选的是,所述金属材料包括钛合金。
优选的是,所述开口的形状包括扇形。
优选的是,所述蒸镀源为点蒸镀源。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种蒸镀装置,包括上述的任意一种蒸镀源。
附图说明
图1为本发明的实施例1的蒸镀源的示意图;
图2为本发明的实施例1的治具的示意图;
其中附图标记为:1、坩埚;2、基板;3、治具;31、开口;4、连接轴;5、转动组件;6、蒸镀容纳室。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
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