[发明专利]垂直通道结构与存储元件

权利要求书

1.一种垂直通道结构，包括：

叠层结构，配置于基底上；以及

通道结构，配置于至少部分贯穿所述叠层结构的开口中，其中所述通道结构包括：

第一通道层，配置于所述开口的底部上；以及

第二通道层，位于所述第一通道层上，其中所述第一通道层的电阻值小于所述第二通道层的电阻值。

2.如权利要求1所述的垂直通道结构，其中所述叠层结构包括：

第一叠层结构，其中所述第一叠层结构包括：

底介电层，配置于所述基底上；

顶介电层，配置于所述底介电层上；以及

掺杂介电层，配置于所述顶介电层与所述底介电层之间，其中所述掺杂介电层的掺杂浓度大于所述顶介电层与所述底介电层的掺杂浓度；以及

第二叠层结构，配置于所述第一叠层结构上，其中所述第二叠层结构包括交替堆叠的多个导体层与多个介电层。

3.如权利要求2所述的垂直通道结构，其中所述开口包括：

第一开口，配置于所述第一叠层结构中；以及

第二开口，配置于所述第一开口上且与所述第一开口连通，其中所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。

4.如权利要求1所述的垂直通道结构，还包括：

介电柱，配置于所述开口中，其中所述通道结构包覆所述介电柱的底面与侧壁；以及

电荷储存层，配置于所述叠层结构与所述第二通道层之间。

5.如权利要求1所述的垂直通道结构，其中所述第一通道层的材料包括经掺杂的半导体材料，而所述第二通道层的材料包括未经掺杂的半导体材料。

6.如权利要求1所述的垂直通道结构，其中所述第一通道层与所述第二通道层的材料包括经掺杂的半导体材料，所述第一通道层的掺杂浓度大于所述第二通道层的掺杂浓度。

7.一种存储元件，包括：

第一叠层结构，配置于基底上；

第二叠层结构，配置于所述第一叠层结构上，其中所述第二叠层结构包括交替堆叠的多个导体层与多个介电层；

通道结构，包括：

第一通道层，内埋于所述第一叠层结构中；以及

第二通道层，位于所述第一通道层上且内埋于所述第二叠层结构中，其中所述第一通道层的电阻值小于所述第二通道层的电阻值；以及

电荷储存层，配置于所述第二叠层结构与所述第二通道层之间。

8.如权利要求7所述的存储元件，其中所述第一叠层结构包括：

底介电层，配置于所述基底上；

顶介电层，配置于所述底介电层上；以及

掺杂介电层，配置于所述顶介电层与所述底介电层之间，其中所述掺杂介电层的掺杂浓度大于所述顶介电层与所述底介电层的掺杂浓度。

9.如权利要求8所述的存储元件，其中所述第一通道层接触所述掺杂介电层。

10.如权利要求9所述的存储元件，其中所述第二通道层的厚度大于所述第一通道层的厚度。

11.一种存储元件，包括：

第一叠层结构，配置于基底上；

第二叠层结构，配置于所述第一叠层结构上，其中所述第二叠层结构包括交替堆叠的多个导体层与多个介电层；

通道结构，包括：

第一通道层，内埋于所述第一叠层结构中且与所述基底接触；以及

第二通道层，位于所述第一通道层上且内埋于所述第二叠层结构中，其中所述第一通道层的电阻值小于所述第二通道层的电阻值；以及

电荷储存层，配置于所述第二叠层结构与所述第二通道层之间。