[发明专利]一种机械力插层剥离制备无机二维纳米材料的方法

权利要求书

1.一种机械力插层剥离制备无机二维纳米材料的方法，其特征在于，以天然或人工合成的三维层状晶体材料为原料，以混合金属卤化物作为插层剥离介质，混合均匀后加入高能球磨机中进行固相高能球磨处理；球磨处理后的混合粉体经水洗去除插层剥离介质后，将三维层状晶体材料制成对应的无机二维纳米材料浆料，干燥后获得相应的无机二维纳米粉体材料。

2.按照权利要求1所述的机械力插层剥离制备无机二维纳米材料的方法，其特征在于，用于剥离的三维层状晶体材料包括但是不限于以下之一：石墨、六方氮化硼、黑磷、过渡金属二硫族化合物、过渡金属三硫族化合物、金属磷三硫族化合物、过渡金属卤氧化物、金属卤化物、层状氧化物、层状氢氧化物、层状硅酸盐、金属碳化物和氮化物、其他层状半导体。

3.按照权利要求2所述的机械力插层剥离制备无机二维纳米材料的方法，其特征在于，过渡金属二硫族化合物为MoS₂、WS₂、WSe₂、NbSe₂、ZrS₂、ZrSe₂，NbS₂、TiS₂、TaS₂、NiSe₂或NbSe₂；过渡金属三硫族化合物为NbX₃、TiX₃或TaX₃，X＝S、Se、Te；金属磷三硫族化合物为MnPS3、CdPS₃、NiPS₃或ZnPS₃；过渡金属卤氧化物为VOCl、CdOCl、FeOCl、NbO₂F或WO₂Cl₂；金属卤化物为PbI₂、BiI₃、MoCl₂或PbCl₄；层状氧化物为Bi₂Sr₂CaCu₂O_x、Sr₂Nb₃O₁₀、TiO₂、Ti₃O₇、MnO₂、MoO₃、WO₃、V₂O₅、LaNbO₇或Bi₄Ti₃O₁₂；层状氢氧化物为Ni(OH)₂或Eu(OH)₂；层状硅酸盐为[(Mg₃)(Si₂O₅)₂(OH)₂]、[(Al₂)(Si₃Al)O₁₀(OH)₂]K、[(Al₂)(Si₂Al₂)O₁₀(OH)₂]Ca、[(Mg₆)(Si₆Al₂)O₂₀(OH)₄]、[(MgFe)₃(Si₃Al)O₁₀(OH)₂]K或[Mg₁₁(Si₆Al₂)O₂₀F₄]；金属碳化物和氮化物为WC₂或C₃N₄；其他层状半导体为GaSe、GaTe、InSe、GeSe、In₂Se₃或Bi₂Se₃。