[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括第一表面和第二表面的基板；

在所述基板的所述第一表面上的第一栅极和第二栅极，其中所述第一栅极和所述第二栅极每个在第一方向上延伸；

在所述第一栅极与所述第二栅极之间位于所述基板中的第一隔离层，其中所述第一隔离层在交叉所述第一方向的第二方向上具有第一宽度；以及

在所述基板中位于所述第一隔离层上的第二隔离层，其中在所述第二方向上，所述第二隔离层具有比所述第一宽度小的第二宽度；

其中所述第二隔离层比所述第一隔离层更靠近所述基板的所述第二表面，以及

其中所述第一隔离层的上表面与所述第二隔离层的下表面彼此垂直地间隔开所述第一隔离层的高度的1/3或更小的距离。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述第一隔离层与所述第二隔离层之间的第三隔离层。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中在所述第二方向上，所述第三隔离层具有比所述第一宽度小的第三宽度。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第三宽度大于所述第二宽度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括覆盖所述第二隔离层的侧壁的第一沟槽钝化层。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

在所述基板中位于所述第二隔离层上的第四隔离层；以及

在所述基板中位于所述第四隔离层上的第五隔离层，

其中所述第五隔离层比所述第四隔离层更靠近所述基板的所述第二表面。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括：

在所述第二隔离层上的第一沟槽钝化层；

在所述第四隔离层上的第二沟槽钝化层，

其中所述第一沟槽钝化层接触所述第二沟槽钝化层。

8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述第二隔离层和所述第四隔离层彼此垂直地间隔开。

9.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述第四隔离层包括多晶硅。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离层和所述第二隔离层包括不同的材料。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第一隔离层包括硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、硅氧碳化物、硅氮氧化物和/或硅氧碳氮化物，以及

所述第二隔离层包括多晶硅。

12.一种图像传感器，包括：

包括彼此相反设置的第一表面和第二表面的基板；

在所述基板的所述第一表面上的第一栅极和第二栅极，其中所述第一栅极和所述第二栅极每个在第一方向上延伸；

在所述第一栅极与所述第二栅极之间位于所述基板中的第一沟槽，其中所述第一沟槽在交叉所述第一方向的第二方向上具有第一宽度，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上具有第一深度；

在所述基板中的第二沟槽，其中在所述第二方向上，所述第二沟槽具有小于所述第一宽度的第二宽度，以及其中所述第二沟槽垂直地重叠所述第一沟槽；

在所述第一沟槽中的第一隔离层；以及

在所述第二沟槽中的第二隔离层，

其中所述第二隔离层包括与所述第一隔离层的材料不同的材料，以及

其中所述第一隔离层的上表面与所述第二隔离层的下表面彼此垂直地间隔开所述第一沟槽的所述第一深度的1/3或更小的距离。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述第一沟槽比所述第二沟槽更靠近所述基板的所述第一表面。

14.根据权利要求12所述的图像传感器，还包括在所述第二沟槽中以及在所述第一隔离层与所述第二隔离层之间的第三隔离层。