[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201811182487.4 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109671731B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 罗承柱;韩东敏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/70 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
一种图像传感器包括:基板,其包括相反的第一表面和第二表面;在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极,第一栅极和第二栅极的每个在第一方向上延伸;第一隔离层,其在第一栅极与第二栅极之间位于基板中,并在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度;第二隔离层,其在基板中位于第一隔离层上,并在第二方向上具有小于第一宽度的第二宽度。第二隔离层比第一隔离层更靠近基板的第二表面。第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
技术领域
本公开的示例实施方式涉及图像传感器。
背景技术
图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的图像器件。图像传感器分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。CIS包括二维布置的多个像素。每个像素包括光电二极管(PD)。光电二极管被配置为将入射光转换成电信号。
随着计算机和通信产业的发展,例如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏设备、安保摄像头、医疗微型相机或机器人的各种设备中强烈需要高性能图像传感器。这样的图像传感器也被高度集成。
发明内容
根据本发明构思的示例实施方式,一种图像传感器可以包括:包括第一表面和第二表面的基板;在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极,其中第一栅极和第二栅极每个在第一方向上延伸;在第一栅极与第二栅极之间位于基板中的第一隔离层,其中第一隔离层在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度;以及在基板中位于第一隔离层上的第二隔离层,其中在第二方向上,第二隔离层具有小于第一宽度的第二宽度,其中第二隔离层比第一隔离层更靠近基板的第二表面,以及其中第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
根据本发明构思的示例实施方式,一种图像传感器可以包括:包括彼此相反设置的第一表面和第二表面的基板;在基板的第一表面上的第一栅极和第二栅极,其中第一栅极和第二栅极每个在第一方向上延伸;在第一栅极与第二栅极之间位于基板中的第一沟槽,其中第一沟槽在交叉第一方向的第二方向上具有第一宽度,并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第一深度;在基板中的第二沟槽,其中在第二方向上,第二沟槽具有小于第一宽度的第二宽度,以及其中第二沟槽垂直地重叠第一沟槽;在第一沟槽中的第一隔离层;以及在第二沟槽中的第二隔离层,其中第二隔离层包括与第一隔离层的材料不同的材料,以及其中第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一沟槽的第一深度的1/3或更小。
根据本发明构思的示例实施方式,一种图像传感器可以包括:包括彼此相反设置的第一表面和第二表面的基板;在基板中的光电转换元件;在基板的第一表面上彼此间隔开的第一栅极和第二栅极;在第一栅极与第二栅极之间位于基板中的第一隔离层;在基板中的第二隔离层,其中第二隔离层包括多晶硅,以及其中第二隔离层垂直地重叠第一隔离层,并且比第一隔离层更靠近基板的第二表面;以及在基板的第二表面上的微透镜,其中第一隔离层与第二隔离层之间的垂直距离是第一隔离层的高度的1/3或更小。
附图说明
图1示出根据示例实施方式的图像传感器的框图。
图2是图1的传感器阵列的等效电路图。
图3示出根据示例实施方式的图像传感器。
图4是图3的部分A的放大图。
图5至17示出根据示例实施方式的制造图像传感器的方法。
图18示出根据示例实施方式的图像传感器。
图19是图18的部分B的放大图。
图20示出根据示例实施方式的图像传感器。
图21示出根据示例实施方式的图像传感器。
图22示出根据示例实施方式的图像传感器。
图23示出根据示例实施方式的图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的