[发明专利]优化EMI的超结MOSFET版图结构及制造方法在审
| 申请号： | 201811188014.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109509792A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;张园园;肖晓军;任文珍 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 超结MOSFET 版图结构 自对准 器件使用 性能提升 生产成本 优化 制造 | ||
【权利要求书】：
1.优化EMI的超结MOSFET版图结构的制造方法，其特征在于：
该方法通过poly布图，结合P-body自对准注入工艺，达到增加MOSFET的Cgd，减小dv/dt，提高器件EMI性能的目的，同时省掉了一层body版。
2.根据权利要求1所述的优化EMI的超结MOSFET版图结构的制造方法，其特征在于：
具有由以下步骤实现：
步骤一、在N+衬底上生长外延N-；
步骤二、通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽，然后生长P型外延，使之填充满沟槽，并进行CMP工艺，将沟槽外的N型外延及P型外延去掉，构成N柱P柱交错排布的超结结构；
步骤三、淀积场氧化层并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate ，然后利用自动准工艺进行Boron的注入和退火形成body区，再利用光刻版定义出注入窗口，注入As或P并推阱形成Nsource区；
步骤四、淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。
3.如权利要求1或2所述的制造方法制得的优化EMI的超结MOSFET版图结构。
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