[发明专利]存储器模块、操作其的方法和存储器模块的测试系统有效

专利信息
申请号: 201811188183.9 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN109671464B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 朴焕旭;金龙进;尹珍成;李奎东 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 存储器 模块 操作 方法 测试 系统
【说明书】:

存储器模块包括半导体存储器设备、电源管理集成电路(PMIC)和控制设备。安装在电路板上的半导体存储器设备基于电源电压操作。安装在电路板上的PMIC生成电源电压,向半导体存储器设备提供电源电压,并存储与在测试模式下半导体存储器设备正常操作时的电源电压的最小电平相关联的修调控制码。在测试模式期间,PMIC调整电源电压的电平,使用调整的电源电压测试半导体存储器设备,并基于测试结果存储调整控制码。控制设备基于从外部设备接收的第一控制信号来控制PMIC。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月13日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2017-0133117号的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及存储器设备,并且更具体地,涉及存储器模块、操作存储器模块的方法以及存储器模块的测试系统。

背景技术

半导体存储器可以是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体实现的存储器设备。半导体存储器设备通常分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

易失性存储器设备指的是当电源关闭时存储的数据丢失的存储器设备。另一方面,非易失性存储器设备指的是当电源关闭时保持存储的数据的存储器设备。由于作为一种易失性存储器设备的动态随机存取存储器(DRAM)具有高访问速度,因此DRAM被广泛用作计算系统的工作存储器、缓冲存储器、主存储器等。因为DRAM存储器单元通常包括电容器和晶体管,所以难以减小其单元尺寸。因此,可能难以在有限的区域内实现高容量DRAM。对于高容量,可以以存储器模块的形式提供多个DRAM。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器模块,包括:多个半导体存储器设备、电源管理集成电路(PMIC)和控制设备。所述多个半导体存储器设备安装在电路板上,并基于电源电压操作。安装在电路板上的PMIC使用输入电压生成电源电压,向所述多个半导体存储器设备提供电源电压,并且存储与第一目标电平相关联的修调控制码,所述第一目标电平与当所述多个半导体存储器设备在测试模式下正常操作时的电源电压的最小电平相对应。在测试模式期间,PMIC调整电源电压的电平,使用调整的电源电压测试半导体存储器设备,并且基于测试的结果存储修调控制码。所述控制设备响应于从外部设备接收的第一控制信号来控制PMIC。

根据本发明构思的示例性实施例,在一种操作存储器模块的方法中,所述存储器模块包括安装在电路板上的多个半导体存储器设备和安装在所述电路板上的电源管理集成电路(PMIC),所述电源管理集成电路向所述多个半导体存储器设备提供电源电压,存储器模块被指示进入测试模式,与电源电压的电平相关联的修调控制码被重置,在电源电压的第一电平测试所述多个半导体存储器设备,以及基于利用调整的电源电压测试所述多个半导体存储器设备的结果,调整电源电压的电平。

根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器模块的测试系统,包括:存储器模块和自动测试装备(ATE)。所述存储器模块包括安装在电路板上的多个半导体存储器设备和安装在电路板上的电源管理集成电路(PMIC),其中PMIC被配置为向所述多个半导体存储器设备提供电源电压。所述ATE测试所述多个半导体存储器设备。所述存储器模块还包括控制设备,以响应于从所述ATE接收的控制信号来控制所述PMIC。PMIC使用输入电压生成电源电压,向所述多个半导体存储器设备提供电源电压,通过在测试模式下调整电源电压的电平来测试所述多个半导体存储器设备,并且存储与在所述多个半导体存储器设备正常操作时电源电压的最小电平相关联的修调控制码。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例,将更清楚地理解本发明构思的上述和其他特征。

图1是示出了根据本发明构思的示例性实施例的存储器系统的框图。

图2是示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的存储器模块的框图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811188183.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top