[发明专利]抗突波电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述抗突波电容器的制造方法包括以下步骤：

(a)提供电容器基材，并对所述电容器基材的表面进行腐蚀处理，以形成腐蚀表面；

(b)使用第一导电高分子分散液处理所述腐蚀表面；以及

(c)使用第二导电高分子分散液处理所述腐蚀表面；

其中，所述步骤(b)及所述步骤(c)是根据预定先后顺序处理经腐蚀的所述电容器基材，以在所述电容器基材上形成导电高分子层，其中，所述第一导电高分子分散液的浓度与所述第二导电高分子分散液的浓度相异；

所述第一导电高分子分散液的浓度介于0.8％至15％之间，所述第二导电高分子分散液的浓度介于5％至25％之间；其中，所述第一导电高分子分散液的黏度介于4cps至30cps之间，所述第二导电高分子分散液的黏度介于8cps至50cps之间，所述第一导电高分子分散液的黏度与所述第二导电高分子分散液的黏度相异。

2.根据权利要求1所述的抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述第一导电高分子分散液与所述第二导电高分子分散液各包含可溶性纳米微粒，且所述第一导电高分子分散液中的所述可溶性纳米微粒的固含量与所述第二导电高分子分散液中的所述可溶性纳米微粒的固含量相同。

3.根据权利要求2所述的抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述第一导电高分子分散液中的所述可溶性纳米微粒的固含量介于0.5％至5％之间，所述第二导电高分子分散液包含可溶性纳米微粒，所述第二导电高分子分散液中的所述可溶性纳米微粒的固含量介于0.5％至5％之间。

4.根据权利要求2所述的抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述可溶性纳米微粒为聚二氧乙基噻吩-聚苯乙烯磺酸；其中，所述第一导电高分子分散液中的所述可溶性纳米微粒的粒径小于或等于500纳米，所述第二导电高分子分散液中的所述可溶性纳米微粒的粒径小于或等于2微米。

5.根据权利要求1所述的抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述预定先后顺序定义为：交替进行所述步骤(b)及所述步骤(c)。

6.根据权利要求1所述的抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述预定先后顺序定义为：进行一次或重复进行数次所述步骤(b)后，再进行一次或数次所述步骤(c)。

7.根据权利要求1所述的抗突波电容器的制造方法，其特征在于，所述预定先后顺序定义为：进行一次或重复进行数次所述步骤(c)后，再进行一次或数次所述步骤(b)。

8.一种抗突波电容器，其特征在于，所述抗突波电容器是由权利要求1所述的抗突波电容器的制造方法所制备而得，以使得所述抗突波电容器接收到突波电流时所产生的容衰至少低于20％。

9.一种抗突波电容器，其特征在于，所述抗突波电容器包括导电高分子层，所述导电高分子层至少通过含有可溶性纳米微粒的第一导电高分子分散液的处理与含有可溶性纳米微粒的第二导电高分子分散液的处理而制成，以使得所述抗突波电容器接收到突波电流时所产生的容衰至少低于20％；

其中，所述第一导电高分子分散液的浓度介于0.8％至15％之间，所述第二导电高分子分散液的浓度介于5％至25％之间；其中，所述第一导电高分子分散液的黏度介于4cps至30cps之间，所述第二导电高分子分散液的黏度介于8cps至50cps之间，所述第一导电高分子分散液的黏度与所述第二导电高分子分散液的黏度相异。