[发明专利]抗突波电容器及其制造方法

说明书

本发明公开抗突波电容器及其制造方法。所述抗突波电容器的制造方法包括以下步骤：(a)提供电容器基材，并对电容器基材的表面进行腐蚀处理，以形成腐蚀表面；(b)使用第一导电高分子分散液处理腐蚀表面；(c)使用第二导电高分子分散液处理腐蚀表面；其中，步骤(b)及步骤(c)是根据预定先后顺序处理经腐蚀的电容器基材，以在电容器基材上形成导电高分子层；其中，第一导电高分子分散液的浓度与第二导电高分子分散液的浓度相异。本发明的抗突波电容器具有抗突波及降低容衰率的电气特性。本发明另公开一种抗突波电容器。

技术领域

本发明涉及一种电容器制造方法，特别是涉及一种抗突波电容器及其制造方法。

背景技术

电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品、及汽车等的基本组件，其主要的作用包括：滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质及用途，有不同的型态，包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。现有技术中，固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，而可使用于中央处理器的电源电路的解耦合作用上。固态电解电容器是以固态电解质取代液态电解液做为阴极，而导电高分子基于其高导电性、制作过程容易等优点已被广泛应用于固态电解电容的阴极材料。然而现有技术的电容器仍具有待改善的缺点。具体来说，当采用导电高分子作为固态电解质时，基于导电高分子分散液本身的特性，其是难以充分地附着在电容器素子的多蚀孔表面上。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种抗突波电容器，此抗突波电容器是采用特定的处理，使导电高分子层可以充分地填充及附着在电容器基材的腐蚀表面，进而提升产品的电气性能。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种抗突波电容器的制造方法，其包括：(a)提供一电容器基材，并对电容器基材的表面进行腐蚀处理，以形成一腐蚀表面；(b)使用一第一导电高分子分散液处理腐蚀表面；(c)使用一第二导电高分子分散液处理腐蚀表面；其中，步骤(b)及步骤(c)是根据一预定先后顺序处理经腐蚀的电容器基材，以在电容器基材上形成一导电高分子层；其中，第一导电高分子分散液的浓度与第二导电高分子分散液的浓度相异。

在本发明其中一实施例中，第一导电高分子分散液的浓度介于0.8％至15％之间，第二导电高分子分散液的浓度介于5％至25％之间；其中，第一导电高分子分散液的黏度介于4cps至30cps之间，第二导电高分子分散液的黏度介于8cps至50cps之间，第一导电高分子分散液的黏度与第二导电高分子分散液的黏度相异。

在本发明其中一实施例中，第一导电高分子分散液与第二导电高分子分散液各包含可溶性纳米微粒，且第一导电高分子分散液中的可溶性纳米微粒的固含量与第二导电高分子分散液中的可溶性纳米微粒的固含量相同。

在本发明其中一实施例中，第一导电高分子分散液中的可溶性纳米微粒的固含量介于0.5％至5％之间，第二导电高分子分散液包含可溶性纳米微粒，第二导电高分子分散液中的可溶性纳米微粒的固含量介于0.5％至5％之间。

在本发明其中一实施例中，可溶性纳米微粒为聚二氧乙基噻吩-聚苯乙烯磺酸；其中，第一导电高分子分散液中的可溶性纳米微粒的粒径小于或等于500纳米，第二导电高分子分散液中的可溶性纳米微粒的粒径小于或等于2微米。

在本发明其中一实施例中，预定先后顺序定义为由交替进行步骤(b)及步骤(c)，或是交替进行步骤(c)及步骤(b)。

在本发明其中一实施例中，预定先后顺序定义为：进行一次或重复进行数次步骤(b)后，再进行一次或数次步骤(c)。

在本发明其中一实施例中，预定先后顺序定义为：进行一次或重复进行数次步骤(c)后，再进行一次或数次步骤(b)。