[发明专利]用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的工艺控制方法，所述工艺控制方法包括：

对包括多个晶片的晶片组执行第一沉积工艺；

对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；

通过使用所述测量值与参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及

基于所述目标值，针对用于后续晶片组的第二沉积工艺提供所述因素的输入值，

其中，提供所述因素的输入值包括：

获得所述因素的先前目标值，所述先前目标值是关于至少一个先前晶片组在先前产生的；以及

提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。

2.根据权利要求1所述的工艺控制方法，其中，产生所述因素的目标值包括：

从对所述晶片组执行的第一沉积工艺中的工艺条件获得所述因素的输出值；以及

基于所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值。

3.根据权利要求1所述的工艺控制方法，其中，执行所述第一沉积工艺包括：在所述多个晶片中的每个晶片上形成磁隧道结层，

其中，所述测量值包括形成在所述多个晶片中的至少一个晶片上的所述磁隧道结层的电特性或磁特性，

其中，所述参考值是关于所述磁隧道结层的电特性或磁特性的期望值。

4.根据权利要求3所述的工艺控制方法，其中

所述第一沉积工艺包括溅射沉积工艺，并且

所述工艺条件的因素包括预溅射时间、沉积时间、离子入射角、离子能量或离子流中的一个。

5.根据权利要求3所述的工艺控制方法，其中

所述磁隧道结层包括隧道势垒层和被所述隧道势垒层分离开的多个磁性层，

所述第一沉积工艺包括在所述多个晶片中的每个晶片上形成所述隧道势垒层的子沉积工艺，所述子沉积工艺包括溅射沉积工艺，

所述测量值包括所述磁隧道结层的电阻RA的测量值，所述参考值包括所述磁隧道结层的电阻RA的参考值，并且

所述工艺条件的所述因素包括所述子沉积工艺的预溅射时间。

6.根据权利要求5所述的工艺控制方法，其中产生所述因素的目标值包括：

从对所述晶片组执行的子沉积工艺中的工艺条件获得所述预溅射时间的输出值；以及

基于所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值，以产生所述预溅射时间的目标值。

7.根据权利要求6所述的工艺控制方法，其中，校正所述输出值以产生所述预溅射时间的目标值是基于：

T_c＝T_o+(R_f–R_m)/ΔR，

其中，T_o表示所述预溅射时间的输出值，R_f表示所述参考值，R_m表示所述测量值，ΔR表示每单位所述预溅射时间所述磁隧道结层的电阻变化，T_c表示所述预溅射时间的目标值。

8.一种用于制造半导体器件的工艺控制方法，所述工艺控制方法包括：

对包括多个晶片的晶片组执行第一沉积工艺，以在所述多个晶片中的每个晶片上形成磁隧道结层；

对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于在所述多个晶片中的至少一个晶片上形成的所述磁隧道结层的特性的测量值；

通过使用所述测量值与关于所述磁隧道结层的特性的参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；

基于所述目标值提供所述因素的输入值以改变所述工艺条件；以及

基于改变后的所述工艺条件对后续晶片组执行第二沉积工艺。

9.根据权利要求8所述的工艺控制方法，其中，产生所述因素的目标值包括：

从对所述晶片组执行的第一沉积工艺中的工艺条件获得所述因素的输出值；以及

基于所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值。