[发明专利]用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统

说明书

提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年10月16日提交的韩国专利申请No.10-2017-0134231的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明构思涉及用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统，更具体地，涉及用于形成薄膜的沉积工艺控制方法和沉积工艺控制系统。

背景技术

随着电子产品趋向于高速和/或低功耗，对于结合在电子产品中的半导体存储器件，可能越来越需要高速和低工作电压。已经开发了下一代半导体存储器件(例如磁随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM))来以满足对半导体存储器件的高性能和低功率的需求。这些半导体存储器件及其他下一代半导体存储器件可以包括具有这样特性的材料：这些材料的电阻根据所施加的电流或电压而变得不同，并且即使它们的电流或电压供应中断，它们的电阻也保持不变。在这种情况下，器件的电/磁特性可能受到用于形成包括构成器件的材料的薄层的沉积工艺的影响。先进工艺控制(advance process control(APC))系统可用于提高半导体制造工艺的加工能力。

发明内容

本发明构思的一些实施方式提供了允许大规模生产半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统。

本发明构思的一些实施方式提供了一种工艺控制方法和工艺控制系统，用以制造具有期望特性或所需特性的半导体器件。

根据本发明构思的示例性实施方式，用于制造半导体器件的工艺控制方法可以包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行第一沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值，针对用于后续晶片组的第二沉积工艺提供所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作可以包括：获得所述因素的先前目标值，其中所述先前目标值是关于至少一个先前晶片组在先前产生的；以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。

根据本发明构思的示例性实施方式，用于制造半导体器件的工艺控制方法可以包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行第一沉积工艺，执行所述沉积工艺以在所述多个晶片中的每个晶片上形成磁隧道结层；对所述晶片组执行测量工艺，执行所述测量工艺以获得与在所述多个晶片中的至少一个晶片上形成的磁隧道结层的特性有关的测量值；通过使用与所述磁隧道结层的特性有关的所述测量值与参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；基于所述目标值提供所述因素的输入值以改变所述沉积工艺中的所述工艺条件；以及基于改变后的所述工艺条件对后续晶片组执行第二沉积工艺。

根据本发明构思的示例性实施方式，用于制造半导体器件的工艺控制系统可以包括：工艺操作部分或平台，对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺，执行所述沉积工艺以在所述多个晶片中的每个晶片上形成磁隧道结层；测量操作部分或平台，测量在所述多个晶片中的至少一个晶片上形成的所述磁隧道结层的特性；以及控制操作部分或平台，通过使用预先存储的参考值与通过测量操作部分或平台测量到的测量值之间的差来改变所述沉积工艺中的工艺条件。所述控制操作部分或平台可以被配置为从所述工艺操作部分或平台获得所述工艺条件的因素的输出值，从所述测量操作部分或平台获得所述测量值，通过使用所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值从而产生所述因素的目标值，以及向所述工艺操作部分或平台提供所述因素的输入值，所述输入值是基于所述目标值确定的。

附图说明