[发明专利]一种射频前端芯片封装结构及方法

权利要求书

1.一种射频前端芯片封装结构，其特征在于，包括：

封装基板，在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔；

至少一个金属凸块，所述金属凸块位于所述空腔中，且所述金属凸块的高度高于所述空腔的深度；

至少一个所述射频前端芯片，所述射频前端芯片的下表面与所述金属凸块的上表面相连；

屏蔽层，使所述封装基板和所述射频前端芯片之间形成密闭空间。

2.如权利要求1所述的射频前端芯片封装结构，其特征在于，所述屏蔽层包括铜、锡、镍、钴、金、钛、铬七种单组份金属膜层中任意叠加形成的多层膜。

3.如权利要求2所述的射频前端芯片封装结构，其特征在于，所述射频前端芯片包括功率放大器、射频开关、双工器、滤波器、低噪声放大器中的任意一种芯片或者任意组合芯片。

4.如权利要求1至3任一项所述的射频前端芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板的上表面设有围堰，以使所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔。

5.如权利要求1至3任一项所述的射频前端芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板具有凹槽，以使所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔。

6.一种射频前端芯片封装方法，其特征在于，包括：

提供封装基板，其中在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成有空腔；

将所述射频前端芯片通过金属凸块倒装在所述封装基板的上表面；

在所述封装基板和所述射频前端芯片的上表面与侧面覆盖屏蔽层，使所述封装基板和所述射频前端芯片之间形成密闭空间。

7.如权利要求6所述的射频前端芯片封装方法，其特征在于，所述在封装基板和所述射频前端芯片之间覆盖屏蔽层包括：

在封装基板和所述射频前端芯片之间通过溅射方法覆盖屏蔽层。

8.如权利要求6或7所述的射频前端芯片封装方法，其特征在于，所述提供封装基板，其中在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成有空腔包括：

提供封装基板，并且在所述封装基板的上表面设置围堰以形成空腔；

或者，提供封装基板，并且在所述封装基板的上表面开设凹槽以形成空腔；

或者，将挖空型顶层基板的下表面与平面型底层基板的上表面固定连接形成封装基板，其中所述挖空型顶层基板与所述平面型底层基板形成空腔。

9.如权利要求8所述的射频前端芯片封装方法，其特征在于，所述围堰的设置方式包括电镀、溅射、点胶、压膜中的任一种方式。