[发明专利]一种射频前端芯片封装结构及方法

说明书

本发明公开了一种射频前端芯片封装结构，包括封装基板，在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔；至少一个金属凸块，所述金属凸块位于所述空腔中，且所述金属凸块的高度高于所述空腔的深度；至少一个所述射频前端芯片，所述射频前端芯片的下表面位于所述金属凸块的上表面；屏蔽层，使所述封装基板和所述射频前端芯片间形成密闭空间。通过在封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔，将金属凸块置于空腔中，射频前端芯片的下表面位于金属凸块的上表面，在射频前端芯片和封装基板覆盖屏蔽层，形成射频前端芯片工作需要的环境，降低了成本。本发明还提供了一种具有上述优点的射频前端芯片封装方法。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种射频前端芯片封装结构及方法。

背景技术

随着集成电路技术的快速发展，电子产品越来越趋于小型化、薄型化和智能化。为了适应小型化的发展趋势，减少射频前端芯片在印刷电路板上的面积，射频前端芯片模块化将是最佳的发展趋势。

射频前端芯片大多集中在印刷电路板的某一区域上，为了解决射频信号相互干扰的问题，现有的技术方案采用在射频前端芯片的表面增加金属屏蔽层，但是射频前端芯片中的射频芯片，例如滤波器和双工器必须使用晶圆级封装(Wafer Level Package，简称WLP)的芯片，由于晶圆级封装的芯片价格极高，导致这一解决方案的成本比较高。

发明内容

本发明的目的是提供一种射频前端芯片封装结构及方法，目的在于解决现有技术中射频前端芯片封装成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种射频前端芯片封装结构，包括：

封装基板，在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔；

至少一个金属凸块，所述金属凸块位于所述空腔中，且所述金属凸块的高度高于所述空腔的深度；

至少一个所述射频前端芯片，所述射频前端芯片的下表面与所述金属凸块的上表面相连；

屏蔽层，使所述封装基板和所述射频前端芯片之间形成密闭空间。

优选地，所述屏蔽层包括铜、锡、镍、钴、金、钛、铬七种单组份金属膜层中任意叠加形成的多层膜。

优选地，所述射频前端芯片包括功率放大器、射频开关、双工器、滤波器、低噪声放大器中的任意一种芯片或者任意组合芯片。

优选地，所述封装基板的上表面设有围堰，以使所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔。

优选地，所述封装基板具有凹槽，以使所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成空腔。

本发明还提供一种射频前端芯片封装方法，包括：

提供封装基板，其中在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成有空腔；

将所述射频前端芯片通过金属凸块倒装在所述封装基板的上表面；

在所述封装基板和所述射频前端芯片之间覆盖屏蔽层，使所述封装基板和所述射频前端芯片之间形成密闭空间。

优选地，所述在封装基板和所述射频前端芯片之间覆盖屏蔽层包括：

在封装基板和所述射频前端芯片之间通过溅射的方法覆盖屏蔽层。

优选地，所述提供封装基板，其中在所述封装基板的上表面和射频前端芯片的下表面之间形成有空腔包括：

提供封装基板，并且在所述封装基板的上表面设置围堰以形成空腔；

或者，提供封装基板，并且在所述封装基板的上表面开设凹槽以形成空腔；