[发明专利]功率模块有效

专利信息
申请号: 201811189176.0 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN109671687B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 长谷川真纪;横山脩平;森茂;川藤寿 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L25/16
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种功率模块,其特征在于,具备:

功率芯片;

控制芯片,其对所述功率芯片进行控制;

功率端子,其与所述功率芯片连接;

控制端子,其与所述控制芯片连接;以及

封装件,其通过模塑树脂覆盖所述功率芯片、所述控制芯片、所述功率端子以及所述控制端子,

在所述封装件的没有所述功率端子以及所述控制端子凸出的彼此相对的侧面,分别设置有用于安装散热鳍片的第1及第2凹部,

所述第1及第2凹部不相对而是配置于彼此错开的位置,

在所述侧面,在与所述第1凹部相对的位置处没有所述第2凹部。

2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,

所述封装件具有彼此相对的第1及第2主面,

所述第1及第2凹部设置于所述第2主面侧,

所述封装件在所述第1主面具有凸起的翘曲。

3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,

在设置有所述第1及第2凹部的所述侧面,内部电极没有从所述封装件露出。

4.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,

在设置有所述第1及第2凹部的所述侧面,内部电极没有从所述封装件露出。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率模块,其特征在于,

所述功率芯片具有:高压功率芯片;以及低压功率芯片,向其施加的电压比所述高压功率芯片低,

所述控制芯片具有:高压控制芯片,其对所述高压功率芯片进行控制;以及低压控制芯片,其对所述低压功率芯片进行控制,

将所述第1凹部配置于所述高压功率芯片侧,

将所述第2凹部配置于所述低压控制芯片侧。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的功率模块,其特征在于,

所述功率芯片由宽带隙半导体形成。

7.根据权利要求5所述的功率模块,其特征在于,

所述功率芯片由宽带隙半导体形成。

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