[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，用于显示面板，其特征在于，所述阵列基板包含：

一基板；

一栅极层，设于所述基板上，所述栅极层包括栅极线；

一有机光阻层，设于所述栅极层及所述基板上，所述有机光阻层对应所述栅极线设有凹槽；

一栅极绝缘层，设于所述有机光阻层上；

一金属氧化物层，设于所述栅极绝缘层上；及

一金属层，设于所述金属氧化物层上，所述金属层及所述金属氧化物层具有源极及漏极区线路、半导体区及像素区，且所述金属氧化物层及所述金属层对应所述凹槽以外的部分及所述像素区被导体化；

其中所述有机光阻层的凹槽包括一底边及位于所述底边相对二端的斜边，所述二斜边分别以相反方向朝所述凹槽外倾斜，及

所述二斜边分别延伸超过所述栅极线的径向宽度外，且所述有机光阻层包括四氟乙烯；

其中所述金属氧化物层包括对应所述凹槽的底边的沟道区，以及对应所述凹槽的二斜边面上的接触区，而所述金属层对应所述凹槽的二斜边面上的部分作为源极及漏极使用，其中所述源极和漏极和所述金属氧化物层之间的接触是在对应于所述凹槽的二斜边的竖直方向，而不会在所述凹槽的水平方向接触。

2.如权利要求1的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物层包括氧化铟镓锌。

3.一种制造阵列基板的方法，所述阵列基板用于显示面板，其特征在于所述方法包含：

在一基板上形成栅极层，并在所述栅极层通过光刻工艺及湿蚀形成栅极线；

在所述栅极层及所述基板上涂布一有机光阻层；

在所述有机光阻层对应所述栅极线的位置，通过曝光及显影以形成相应所述栅极线的凹槽；

在所述有机光阻层及所述凹槽上沉积一栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上连续沉积一金属氧化物层及形成于所述金属氧化物层上的金属层；

在所述金属层及所述金属氧化物层通过曝光及显影定义源极区和漏极区、半导体区和像素区；

利用所述金属层和所述金属氧化物层酸选择比的不同，对所述金属层及所述金属氧化物层，通过蚀刻工艺及灰化工艺形成源极区和漏极区线路、半导体区，及像素区；及

利用紫外线光照将所述金属氧化物层及所述像素区进行导体化；

其中所述有机光阻层的凹槽包括一底边及位于所述底边相对二端的斜边，所述二斜边分别以相反方向朝所述凹槽外倾斜，及所述二斜边分别延伸超过所述栅极线的径向宽度外，且所述有机光阻层包括四氟乙烯；

其中所述金属氧化物层在通过蚀刻工艺及灰化工艺之后，形成对应所述凹槽的底边的沟道区，以及对应所述凹槽的二斜边面上的接触区，而所述金属层对应所述凹槽的二斜边面上的部分作为源极及漏极使用，其中所述源极和漏极和所述金属氧化物层之间的接触是在对应于所述凹槽的二斜边的竖直方向。

4.如权利要求3的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述金属氧化物层包括氧化铟镓锌。

5.如权利要求3的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述金属氧化物层及所述像素区的导体化，是利用所述栅极层为光罩，藉由所述紫外线从所述基板相对于所述栅极层的一面，对所述基板进行照射而导体化所述金属氧化物层及所述像素区。

6.如权利要求3的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述源极区和漏极区线路、所述半导体区，及所述像素区的形成是通过对所述金属层湿刻、对所述金属氧化物层湿刻及灰化，并再对所述金属层湿刻。