[发明专利]阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811194330.3 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109285844B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 韦显旺 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法
【说明书】:

一种阵列基板,用于显示面板。所述阵列基板包含一基板;一栅极层,设于所述基板上,所述栅极层包括栅极线;一有机光阻层,涂布于所述栅极层及所术基板上,所述有机光阻层对应所述栅极线设有凹槽;一栅极绝缘层,设于所述有机光阻层上;一金属氧化物层,设于所述栅极绝缘层上;及一金属层,设于所述金属氧化物层上,所述金属层及所述金属氧化物层通过光刻及蚀刻工艺定义源极及漏极区线路、半导体区,及像素区。

【技术领域】

发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种用于显示面板的阵列基板及其制造方法。

【背景技术】

液晶显示器(liquid crystal display,LCD)及有机发光二极管显示器(organiclight emitting diode,OLED)是目前市场上应用最为广泛的显示产品,其生产工艺技术十分成熟,产品良率高,生产成本相对较低,市场接受度高。而薄膜晶体管(thin filmtransistor)显示器面板制造行业已经发展多年,对于产品的生产流程已经十分精炼与成熟。

随着LCD与OLED的分辨率越来越高,单位面积下薄膜晶体管所占的比例也越来越多。也因为薄膜晶体管的栅极与源极以及栅极与漏极之间有部分区域重叠,导致薄膜晶体管的栅极-漏极与栅极-源极的寄生电容(parasiticcapacitance,亦即:Cgd与 Cgs)相对于储存电容的比例也随之升高。因此,以上述的薄膜晶体管来作为驱动电路中的晶体管时,在信号的传输上往往会产生相当大的电阻电容负载(RC loading),导致显示器的显示品质下降。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种阵列基板及制造阵列基板的方法,其可减少源极和漏极与栅极的重叠区域,有效降低寄生电容,进而提高显示品质。

为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,用于显示面板,所述阵列基板包含:

一基板;

一栅极层,设于所述基板上,所述栅极层包括栅极线;

一有机光阻层,设于所述栅极层及所术基板上,所述有机光阻层对应所述栅极线设有凹槽;

一栅极绝缘层,设于所述有机光阻层上;

一金属氧化物层,设于所述栅极绝缘层上;及

一金属层,设于所述金属氧化物层上,所述金属层及所述金属氧化物层具有源极及漏极区线路、半导体区,及像素区,且所述金属氧化物层及所述金属层对应所述凹槽以外的部分及所述像素区被导体化。

在一优选实施例中,所述有机光阻层的凹槽包括一底边及位于所述底边相对二端的斜边,所述二斜边分别以相反方向朝所述凹槽外倾斜,且所述二斜边分别延伸超过所述栅极线的径向宽度外。

在一优选实施例中,所述金属氧化物层包括对应所述凹槽的底边的沟道区,以及对应所述凹槽的二斜边面上的接触区,而所述金属层对应所述凹槽的二斜边面上的部分作为源极及漏极使用,其中所述源极和漏极和所述金属氧化物层之间的接触是在对应于所述凹槽的二斜边的竖直方向。

在一优选实施例中,所述有机光阻层包括四氟乙烯。

在一优选实施例中,所述金属氧化物层包括氧化铟镓锌。

本发明另外提供一种制造阵列基板的方法,所述阵列基板用于显示面板,所述方法包含:

在一基板上形成栅极层,并在所述栅极层通过光刻工艺及湿蚀形成栅极线;

在所述栅极层及所述基板上涂布一有机光阻层;

在所述有机光阻层对应所述栅极线的位置,通过曝光及显影以形成相应所述栅极线的凹槽;

在所述有机光阻层及所述凹槽上沉积一栅极绝缘层;

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