[发明专利]超级结器件的测试方法在审
申请号: | 201811195658.7 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109444703A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 李晶晶;谢晋春;辛吉升 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 漏电 标准测试条件 超级结器件 测试条件 击穿电压 输出 跳转 降级 测试数据文件 击穿电压测试 芯片 测试程序 测试通过 导通电阻 重复测试 接触性 预测试 剔除 筛选 达标 重复 | ||
1.一种超级结器件的测试方法,其特征在于:
第1步,在测试程序开始前建立两份测试数据文件,标记为文件A、文件B;
第2步,进行接触性开尔文测试,失效的芯片直接剔除,终止测试,测试结果KELVIN输出到文件A;测试通过的芯片进行下一步的测试;
第3步,进行栅、源漏电初始测试,测试结果IGSS0输出到文件A;
第4步,进行漏、源漏电测试:首先进行击穿电压预测试,用宽的测试条件测试出器件的击穿电压值,定义为BVDSS0,输出到文件B;再进行漏、源漏电测试;若测试结果满足测试标准,则将测试结果IDSS1输出到文件A;若测试结果未达标,则进行下一步跳转降级测试;
第5步,修改漏、源漏电测试条件,重复进行上述第4步,第一级测试的数据IDSS2输出到文件A,第二级测试的数据IDSS20输出到文件B;
第6步,进行击穿电压测试,测试数据输出到文件A;
第7步,进行导通电阻RDSON测试,按照标准测试条件进行筛选,测试结果输出到文件A;如果标准测试条件不通过,则进行跳转降级测试;
第8步,再重复测试栅、源漏电和漏、源漏电,测试结果IGSSF、IDSSF均输出到文件A;如果测试不通过,则将芯片直接剔除。
2.如权利要求1所述的超级结器件的测试方法,其特征在于:所述第4步中,对测试进行分级筛选,在用宽的电压测试范围对样品进行性能参数测试得到摸底数据之后,未达标的样品设置降级程序进行跳转降级测试,是将摸底数据乘以一个系数α,继续进行测试,测试结果输出到文件B。
3.如权利要求2所述的超级结器件的测试方法,其特征在于:所述的系数0﹤α﹤1。
4.如权利要求1所述的超级结器件的测试方法,其特征在于:所述第5步中,对于修改漏、源漏电测试条件,根据实际情况需要,测试级数能进行多档细分,如两级、三级及以上。
5.如权利要求1所述的超级结器件的测试方法,其特征在于:所述第7步中,降级测试是在标准测试条件的基础上乘以一个系数β,作为测试跳进再次测试,测试结果RDSON0输出到文件B。
6.如权利要求5所述的超级结器件的测试方法,其特征在于:所述的系数0﹤β﹤1。
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