[发明专利]超级结器件的测试方法

说明书

本发明公开了一种超级结器件的测试方法，包括：在测试程序开始前建立两份测试数据文件；进行接触性开尔文测试；测试通过的芯片进行下一步的测试；进行栅、源漏电初始测试，测试结果IGSS0输出到文件A；进行漏、源漏电测试：首先进行击穿电压预测试，用宽的测试条件测试出器件的击穿电压值，再进行漏、源漏电测试，若测试结果未达标，则进行下一步跳转降级测试；修改漏、源漏电测试条件，重复进行；进行击穿电压测试；进行导通电阻RDSON测试，按照标准测试条件进行筛选，测试结果输出到文件A；如果标准测试条件不通过，则进行跳转降级测试；第8步，再重复测试栅、源漏电和漏、源漏电，测试结果IGSSF、IDSSF均输出到文件A；如果测试不通过，则将芯片直接剔除。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造与测试领域，特别是指一种超级结的测试方法。

背景技术

在电子设备中使用大量的电子元器件，各种电子元器件可以粗略地分为两类：集成电路和超级结。集成电路即俗称的芯片，是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有特定的电路功能的微型结构。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。而超级结，则是传统的单个封装的电阻、电容、电感、功率MOS等基本的电子电路组成单元。

在半导体器件制造过程中，当一种基于新工艺的超级结产品出厂之后，要做很多步工程测试，收集数据，分析器件的性能，称之为工程测试阶段。当工程测试结果通过后，才能进入正式的量产测试阶段。

传统的测试方法需要进行多步的测试，每步测试都是进行不同的测试项目，生成不同的测试文件，如图1所示，假如有十项测试，那么就依序进行，如进行量产测试，生成测试文件1，然后进行工程测试1，生成测试文件2，再进行工程测试2，生成测试文件3……，整个测试时长就是各项目测试时长的总和，需要耗费较长的时间。

随着半导体工艺制程的日趋进步，单位面积内芯片产出量也越来越大，对测试产能的要求也越来越高。而每个新工艺超级结在工程测试阶段会占据大量的产能资源。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种超级结的测试方法,只需一步测试就能实现传统多步的测试效果。

为解决上述问题，本发明所述的一种超级结的测试方法，包含：

第1步，在测试程序开始前建立两份测试数据文件，标记为文件A、文件B；

第2步，进行接触性开尔文测试，失效的芯片直接剔除，终止测试，测试结果KELVIN输出到文件A；测试通过的芯片进行下一步的测试；

第3步，进行栅、源漏电初始测试，测试结果IGSS0输出到文件A；

第4步，进行漏、源漏电测试：首先进行击穿电压预测试，用宽的测试条件测试出器件的击穿电压值，定义为BVDSS0，输出到文件B；再进行漏、源漏电测试；若测试结果满足测试标准，则将测试结果IDSS1输出到文件A；若测试结果未达标，则进行下一步跳转降级测试；

第5步，修改漏、源漏电测试条件，重复进行上述第4步，第一级测试的数据IDSS2输出到文件A，第二级测试的数据IDSS20输出到文件B；

第6步，进行击穿电压测试，测试数据输出到文件A；

第7步，进行导通电阻RDSON测试，按照标准测试条件进行筛选，测试结果输出到文件A；如果标准测试条件不通过，则进行跳转降级测试；

第8步，再重复测试栅、源漏电和漏、源漏电，测试结果IGSSF、IDSSF均输出到文件A；如果测试不通过，则将芯片直接剔除。