[发明专利]金属线和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201811195676.5 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109671717A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李东敏;申相原;申铉亿 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆盖层 金属线 薄膜晶体管 导电层 氮化钛 铝合金 | ||
1.一种金属线，所述金属线包括：
导电层，包含铝或铝合金；
第一覆盖层，位于所述导电层上，所述第一覆盖层包含氮化钛；以及
第二覆盖层，位于所述第一覆盖层上，所述第二覆盖层包含钛。
2.根据权利要求1所述的金属线，其中：
所述导电层包含所述铝合金，并且
所述铝合金包括镍、镧、钕和锗中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的金属线，
其中，包含在所述第一覆盖层中的氮和钛的原子比为0.9至1.2，所述原子比由下式表示：氮原子数/钛原子数。
4.根据权利要求1所述的金属线，
其中，所述导电层和所述第一覆盖层彼此接触。
5.根据权利要求1所述的金属线，
其中，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层彼此接触。
6.根据权利要求1所述的金属线，
其中，所述第一覆盖层的较靠近所述导电层的部分中的氮原子的含量高于所述第一覆盖层的较靠近所述第二覆盖层的部分中氮原子的含量。
7.根据权利要求1所述的金属线，所述金属线还包括：
第三覆盖层，位于所述第二覆盖层上，所述第三覆盖层包含氮化钛。
8.根据权利要求7所述的金属线，
其中，所述第三覆盖层的较靠近所述第二覆盖层的部分中的氮原子的含量低于所述第三覆盖层的较靠近与所述第二覆盖层相对的一侧的部分中的氮原子的含量。
9.根据权利要求7所述的金属线，
其中，所述第一覆盖层中的氮原子的含量不同于所述第三覆盖层中的氮原子的含量。
10.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅极金属层和数据金属层，通过绝缘膜彼此电隔离，
其中，所述栅极金属层和/或所述数据金属层包括：
导电层，包含铝或铝合金；
第一覆盖层，位于所述导电层上，所述第一覆盖层包含氮化钛；以及
第二覆盖层，位于所述第一覆盖层上，所述第二覆盖层包含钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
