[发明专利]金属线和薄膜晶体管

说明书

提供了一种金属线和一种薄膜晶体管。所述金属线包括：导电层,包含铝(Al)或铝合金；第一覆盖层，位于导电层上，第一覆盖层包含氮化钛(TiN_x)；以及第二覆盖层，位于第一覆盖层上，第二覆盖层包含钛(Ti)。

于2017年10月17日在韩国知识产权局提交的名称为“金属线和薄膜晶体管”的第10-2017-0134845号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种金属线和包括该金属线的薄膜晶体管。

背景技术

诸如有机发光显示装置或液晶显示装置的显示装置包括作为用于图像输出的驱动和控制元件的薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管可包括诸如用于传输电信号的栅极线或数据线的金属线。

发明内容

实施例涉及一种金属线，所述金属线包括：导电层,包含铝(Al)或铝合金；第一覆盖层，位于导电层上，第一覆盖层包含氮化钛(TiN_x)；以及第二覆盖层，位于第一覆盖层上，第二覆盖层包含钛(Ti)。

导电层可包括包含镍(Ni)、镧(La)、钕(Nd)和锗(Ge)中的至少一种的铝合金。

包含在第一覆盖层中的氮与钛的原子比为0.9至1.2，所述原子比由下式表示：氮原子数/钛原子数。

导电层和第一覆盖层可彼此接触。

第一覆盖层和第二覆盖层可彼此接触。

第一覆盖层的较靠近导电层的部分中的氮原子的含量可高于第一覆盖层的较靠近第二覆盖层的部分中的氮原子的含量。金属线还可包括位于第二覆盖层上的第三覆盖层，第三覆盖层包含氮化钛。

第三覆盖层的朝向第二覆盖层的部分中的氮原子的含量低于第三覆盖层的较靠近与第二覆盖层相对的一侧的部分中的氮原子的含量。

第一覆盖层中的氮原子的含量可不同于第三覆盖层中的氮原子的含量。

实施例也涉及一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括通过绝缘膜彼此电隔离的栅极金属层和数据金属层。栅极金属层和/或数据金属层包括：导电层，包含铝(Al)或铝合金；第一覆盖层，位于导电层上，第一覆盖层包含氮化钛(TiN_x)；以及第二覆盖层，位于第一覆盖层上，第二覆盖层包含钛(Ti)。

包含在第一覆盖层中的氮和钛的原子比可以为0.9至1.2，所述原子比由下式表示：氮原子数/钛原子数。

栅极金属层和/或数据金属层还可包括位于第二覆盖层上的第三覆盖层，第三覆盖层包含氮化钛。

第一覆盖层中的氮原子的含量可不同于第三覆盖层中的氮原子的含量。

实施例也涉及一种制造金属线的方法，所述方法包括在铝(Al)膜或铝合金膜上形成氮化钛(TiN_x)膜以及在氮化钛膜上形成钛(Ti)膜。

包含在氮化钛膜中的氮和钛的原子比可以为0.9至1.2，所述原子比由下式表示：氮原子数/钛原子数。

可使用钛和氮气(N₂)通过溅射形成氮化钛膜。

可通过其中在形成氮化钛膜的同时仅停止氮气的供应的连续溅射来形成钛膜。

在溅射期间可另外供应惰性气体。在溅射期间氮气的供应量可大于惰性气体的供应量。

所述方法还可包括在钛膜上形成亚氮化钛膜。

可通过溅射形成钛膜。可通过其中在形成钛膜的同时另外供应氮气的连续溅射来形成亚氮化钛膜。

附图说明