[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201811196269.6 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109698161A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 则本隆司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 间隔道 等离子蚀刻 多个器件 功能层 切削槽 粘接带 加工 背面 等离子蚀刻步骤 卡盘工作台 保护部件 切削刀具 对基板 分割 切削 基板 延展 切入 | ||
1.一种晶片的加工方法，将在基板的正面上层叠有功能层且形成有多个器件的晶片沿着划分该多个器件的间隔道进行分割，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护部件配设步骤，在该晶片的正面的该功能层侧配设保护部件；
切削步骤，使切削刀具切入该晶片的背面，沿着该间隔道形成深度超过该晶片的完工厚度的切削槽；以及
等离子蚀刻步骤，对利用卡盘工作台保持着该保护部件侧的该晶片从背面侧进行等离子蚀刻，使该切削槽朝向该晶片的正面延展，从而沿着该间隔道对该基板进行分割。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的激光加工步骤：在实施了该等离子蚀刻步骤之后，对残留在已将该基板分割的该切削槽的槽底的该功能层照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束，沿着该切削槽将该功能层去除。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
在该切削步骤中，在该晶片的背面形成了第1切削槽之后，在该第1切削槽的槽底形成比该第1切削槽窄的第2切削槽，从而促进该等离子蚀刻步骤中的等离子蚀刻气体进入至该切削槽。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的精磨削步骤：在该等离子蚀刻步骤之后，对该晶片的背面进行磨削而使晶片成为完工厚度。
5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的预备磨削步骤：在该等离子蚀刻步骤之前，预先对该晶片的背面进行磨削。
6.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
粘片膜粘贴步骤，在该等离子蚀刻步骤之后，在该晶片的背面粘贴粘片膜；以及
粘片膜分割步骤，沿着该切削槽对该粘片膜照射激光束而对该粘片膜进行分割。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
