[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，抑制成本并能够进行等离子蚀刻。晶片的加工方法是将在基板的正面上层叠有功能层且形成有多个器件的晶片沿着划分多个器件的间隔道进行分割的方法。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件配设步骤，在晶片的正面的功能层侧配设粘接带；切削步骤，使切削刀具切入晶片的背面，沿着间隔道形成深度超过晶片的完工厚度的切削槽；以及等离子蚀刻步骤，对利用卡盘工作台保持着粘接带侧的晶片从背面侧进行等离子蚀刻，使切削槽朝向晶片的正面延展，从而沿着间隔道对基板进行分割。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，特别是涉及等离子切割。

背景技术

已知为了将由硅基板等构成的半导体晶片分割成各个器件芯片而应用使用了切削刀具或激光束的加工方法。这些加工方法一条一条地对分割预定线(间隔道)进行加工而将晶片分割成器件芯片。由于近年来的电子设备的小型化，器件芯片的轻薄短小化和成本削减不断发展，大量生产从尺寸如以往那样超过10mm的器件芯片到2mm以下的尺寸较小的器件芯片。在制造尺寸较小的器件芯片的情况下，相对于一张晶片的间隔道的数量增加，在每一条线的加工中加工时间也会变长。

因此，开发了一并对晶片的所有间隔道进行加工的等离子切割这种方法(例如，参照专利文献1)。专利文献1所示的等离子切割通过等离子蚀刻将除了被掩模遮蔽的区域以外的区域去除，以晶片为单位实施加工，因此具有如下的效果：即使间隔道的条数变多，加工时间也不会显著变长。

但是，关于专利文献1所示的等离子切割，为了仅使要通过蚀刻来去除的区域准确地露出，需要准备与各个晶片的间隔道相符的精密的掩模(例如，参照专利文献2和专利文献3)。

专利文献1：日本特开2006-114825号公报

专利文献2：日本特开2013-055120号公报

专利文献3：日本特开2014-199833号公报

但是，特别是关于专利文献2和专利文献3所示的掩模，遗留有制造成本和制造工时的抑制、使掩模对位的技术的确立等与切削加工等相比成本高、难度高的课题。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，抑制成本并能够进行等离子蚀刻。

为了解决上述课题实现目的，本发明的晶片的加工方法将在基板的正面上层叠有功能层且形成有多个器件的晶片沿着划分该多个器件的间隔道进行分割，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件配设步骤，在该晶片的正面的该功能层侧配设保护部件；切削步骤，使切削刀具切入该晶片的背面，沿着该间隔道形成深度超过该晶片的完工厚度的切削槽；以及等离子蚀刻步骤，对利用卡盘工作台保持着该保护部件侧的该晶片从背面侧进行等离子蚀刻，使该切削槽朝向该晶片的正面延展，从而沿着该间隔道对该基板进行分割。

在所述晶片的加工方法中，也可以是，具有如下的激光加工步骤：在实施了该等离子蚀刻步骤之后，对残留在已将该基板分割的该切削槽的槽底的该功能层照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束，沿着该切削槽将该功能层去除。

在所述晶片的加工方法中，也可以是，在该切削步骤中，在该晶片的背面形成了第1切削槽之后，在该第1切削槽的槽底形成比该第1切削槽窄的第2切削槽，从而促进该等离子蚀刻步骤中的等离子蚀刻气体进入至该切削槽。

在所述晶片的加工方法中，也可以是，具有如下的精磨削步骤：在该等离子蚀刻步骤之后，对该晶片的背面进行磨削而使晶片成为完工厚度。

在所述晶片的加工方法中，也可以是，具有如下的预备磨削步骤：在该等离子蚀刻步骤之前，预先对该晶片的背面进行磨削。

在所述晶片的加工方法中，也可以是，具有如下的步骤：粘片膜粘贴步骤，在该等离子蚀刻步骤之后，在该晶片的背面粘贴粘片膜；以及粘片膜分割步骤，沿着该切削槽对该粘片膜照射激光束而对该粘片膜进行分割。