[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201811196955.3 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109326614B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 方金钢;丁录科 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括顶栅型的氧化物薄膜晶体管;
显示基板具体包括基底、设置在所述基底上的遮光层,所述遮光层位于所述氧化物薄膜晶体管的下方;
位于所述遮光层上起缓冲作用且为有机材质的第一绝缘层,所述第一绝缘层与所述遮光层接触并覆盖整个所述基底,缓冲层通过在形成有所述遮光层的基底上经过涂覆有机硅玻璃容易形成上表面平坦的膜层;
设置在所述上表面平坦的第一绝缘层上方依次层叠设置的有源层、栅绝缘层,其中,所述栅绝缘层位于所述有源层的上方;
显示基板还包括设置在所述栅绝缘层上方的栅极,所述第一绝缘层的平坦上表面设置有凹槽,所述凹槽内设置有栅线;
所述栅极和所述栅线使用同膜层图案化形成;
还包括覆盖所述栅极和栅线的第二绝缘层,所述第二绝缘层上设置有通过过孔与有源层连接的源极和漏极,以及设置在所述栅线上方的数据线,所述栅线与所述数据线具有交叠区,其中,所述源极、漏极和数据线通过相同的金属膜层图案化形成;
还包括覆盖所述源极、漏极和数据线的钝化层,以及位于所述钝化层上方的像素电极,所述像素电极通过所述钝化层上的过孔与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,位于所述凹槽内的所述栅线的至少部分侧面与所述凹槽壁面接触。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅线位于所述凹槽中的部分的远离所述基底一侧的表面与所述凹槽的开口平齐。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅线全部位于所述凹槽中。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相交。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,构成所述第一绝缘层的材料包括有机硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述凹槽底面与所述栅线之间的第三绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第三绝缘层包括栅绝缘层。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述基底朝向所述第一绝缘层的一侧的金属遮光层,所述第一绝缘层覆盖所述金属遮光层,所述显示基板内还设置有氧化物薄膜晶体管,所述氧化物薄膜晶体管设于所述第一绝缘层远离所述基底一侧,且所述氧化物薄膜晶体管在所述金属遮光层所在平面的正投影处于所述金属遮光层内。
10.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述显示基板为根据权利要求1-9任意一项所述的显示基板,所述制造方法包括:
通过构图工艺在基底上形成所述第一绝缘层,并在所述第一绝缘层中形成所述凹槽;
通过构图工艺在所述第一绝缘层上形成所述栅线;
在第一信号线上形成所述第二绝缘层;
通过构图工艺在所述第二绝缘层上形成所述数据线。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述显示基板为根据权利要求6所述的显示基板,所述通过构图工艺在基底上形成所述第一绝缘层包括:
在所述基底上涂覆有机硅玻璃溶液;
对所述有机硅玻璃溶液进行前烘、曝光、显影以得到所述凹槽。
12.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述显示基板为根据权利要求7所述的显示基板,在形成所述第一绝缘层与形成所述栅线之间,该制造方法还包括:
形成覆盖所述第一绝缘层的第三绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的