[发明专利]一种可靠性测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种可靠性测试结构，其特征在于，用于监测非易失闪存中漏端接触孔与字线之间的偏移量；所述测试结构包括：

多条相互平行的字线和多排漏端接触孔；

其中，相邻两条所述字线之间存在间隔；所述多条相互平行的字线和所述间隔从所述测试结构的一侧到另一侧分别依次排序标记；

在第奇数间隔内或第偶数间隔内设置有所述多排漏端接触孔中的一排漏端接触孔；

第奇数条字线并联连接在一起，第偶数条字线并联连接在一起，所述多排漏端接触孔中的各个漏端接触孔均并联连接在一起。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述字线的材料为金属。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述字线的材料为多晶硅。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述漏端接触孔为填充有金属材料的导电孔。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构设置于芯片的划片槽区域。

6.一种可靠性测试方法，其特征在于，所述方法用于监测非易失闪存中漏端接触孔与字线之间的偏移量，所述方法包括：

提供测试结构，所述测试结构包括多条相互平行的字线和多排漏端接触孔；其中，相邻两条所述字线之间存在间隔；所述多条相互平行的字线和所述间隔从所述测试结构的一侧到另一侧分别依次排序标记；在第奇数间隔内或第偶数间隔内设置有所述多排漏端接触孔中的一排漏端接触孔；第奇数条字线并联连接在一起，第偶数条字线并联连接在一起，所述多排漏端接触孔中的各个漏端接触孔均并联连接在一起；

分别测量所述漏端接触孔与所述第奇数条字线之间的电性能参数的第一参数值，以及所述漏端接触孔与所述第偶数条字线之间的电性能参数的第二参数值；

根据所述第一参数值和所述第二参数值测量非易失闪存中的所述漏端接触孔与所述字线之间的偏移量。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述电性能参数为击穿电压、介质经时击穿时间或漏电流中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，设定第一参数值记为A1，第二参数值记为A2；

所述根据所述第一参数值和所述第二参数值测量非易失闪存中的所述漏端接触孔与所述字线之间的偏移量，具体为：

根据以下公式测量非易失闪存中的所述漏端接触孔与所述字线之间的偏移量；

偏移量＝(A1-A2)/(A1+A2)*目标间距

其中，目标间距为当所述漏端接触孔位于相邻两条字线正中间位置时，所述漏端接触孔距离所述字线的间距。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：计算目标间距，所述计算目标间距，具体为：

设定相邻两条字线之间的距离为D，所述漏端接触孔的宽度或直径为d；

根据以下公式计算目标间距space_目标；

space_目标＝(D-d)/2。

10.根据权利要求6-9任一项所述的方法，其特征在于，所述字线的材料为金属或多晶硅。