[发明专利]一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法在审
| 申请号： | 201811198895.9 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109240038A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高超;程洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 晶粒 封装 晶圆 掩模板 曝光 产品晶粒 产品图形 掩膜图形 种晶 制备 | ||
1.一种掩模板，其特征在于，包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形，所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形，所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述对准晶粒图形是虚拟图案、光学对准结构或测试结构。
3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述对准晶粒图形的数量是1个。
4.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述后道封装是指挑片工艺。
5.一种曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供待曝光晶圆，所述待曝光晶圆具有多个阵列排列的待曝光单元；
对每个所述待曝光单元使用如权利要求1至4中任一项所述的掩模板进行曝光成像。
6.如权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述待曝光单元包括完整曝光单元以及排布在待曝光晶圆边缘位置的非完整曝光单元。
7.如权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述完整曝光单元呈方形。
8.如权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述对准晶粒图形位于边角处。
9.一种晶圆，其特征在于，采用如权利要求5至8中任意一项中所述的曝光方法制备而成。
10.如权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆的晶粒数量至少为1万。
11.一种封装方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求5至8中任意一项中所述的曝光方法，在所述待曝光晶圆的曝光单元中形成对准定位的掩膜图形；
通过所述对准定位的掩膜图形进行对准，并进行挑片工艺。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
