[发明专利]一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法

说明书

本发明提供了一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法。所述掩模板包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形，所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形，所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。本发明还提供了一种晶圆及其曝光方法、封装方法。本发明采用具有对准晶粒图形的掩模板，曝光制备的晶圆具有在后道封装时用于对准和定位的对准晶粒，减少了作为mirror die用于后道封装对准和定位所牺牲的晶粒的数量，从而降低了成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，集成芯片集成度的不断提高，使得芯片的制作工艺日趋复杂，为了保证较高的成品率，对整个工艺流程和装置设备的要求就会更加严格。光刻的基本原理是：利用光刻胶曝光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工的晶圆(wafer)表面上。在曝光过程中，由于曝光系统一次曝光的面积大小是有限的，因此在曝光时需要将一个晶圆划分为多个曝光单元(shot)分别进行曝光成像，这些曝光单元包括非完整曝光单元(Partial shot)和完整曝光单元(Full shot)，其中，完整曝光单元完全落在晶圆范围以内，非完整曝光单元部分未落在晶圆范围以内。另外，每个曝光单元中可能会包含多个小的电路晶粒(die)。

现有工艺中，在大量生产的晶圆的曝光布局(shot map)中需要牺牲两块包含晶粒数量较少的非完整曝光单元作为mirror die(也称mirror shot，镜面曝光单元)，其用于后道封装时机台对晶圆的定位以及对准用途。虽然被牺牲的两个非完整曝光单元中的晶粒数相对较少，但是，随着晶粒尺寸的逐渐减少，晶圆上晶粒的数量相应的增多，所被牺牲的晶粒数量也越来越多。

因此，需要一种可以减少晶圆在后道封装时作为对准和定位的晶粒数量的掩模板以及曝光方法。

发明内容

本发明的目的之一在于，提供一种掩模板，使得使用了该掩模板曝光得到的晶圆上具有用于后道封装工艺过程中对准和定位的晶粒。

本发明的另一目的在于，提供一种晶圆及其曝光方法、封装方法，使得晶圆大部分曝光单元中具有可以在后道封装时作为对准和定位的晶粒。

本发明的再一目的在于，提供一种晶圆，其具有可以用于后道封装时作为对准和定位的晶粒，用于后道封装时的对准和定位。

为了实现上述技术目的，本发明第一方面提供了一种掩模板，包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形，所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形，所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。

可选的，所述对准晶粒图形是虚拟图案、光学对准结构或测试结构。

可选的，所述对准晶粒图形的数量是1个。

所述后道封装是指挑片工艺。

本发明另一方面提供了一种曝光方法，包括以下步骤：

提供待曝光晶圆，所述待曝光晶圆具有多个阵列排列的待曝光单元；

对每个所述待曝光单元使用如权利要求1至4中任一项所述的掩模板进行曝光成像。

可选的，所述待曝光单元包括完整曝光单元以及排布在待曝光晶圆边缘位置的非完整曝光单元。

可选的，所述完整曝光单元呈方形。

可选的，所述对准晶粒图形位于边角处。

本发明第三方面提供了一种晶圆，采用所述的曝光方法制备而成。

可选的，所述晶圆的晶粒数量至少为1万。

本发明再一方面提供了一种封装方法，包括：