[发明专利]用于在基板上制作像素单元的掩膜结构以及掩膜制作方法在审
申请号: | 201811200154.X | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109546010A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 邓星辰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮蔽 金属条 掩膜结构 平滑 像素形成 支撑条 掩膜 制作 横向平行 显示面板 像素单元 金属框 突出部 像素区 凹口 基板 全屏 外框 平行 | ||
1.一种用于在基板上制作像素单元的掩膜结构,其特征在于,所述掩膜结构包括:
掩膜外框;
数个平滑遮蔽条,纵向设置于所述掩膜外框上,所述平滑遮蔽条彼此平行设置;
数个突出遮蔽条,每个所述突出遮蔽条具有数个突出部,纵向设置于所述掩膜外框上,与所述平滑遮蔽条彼此平行间隔设置,每个所述突出遮蔽条的形状及突出部的数量相同;
数个支撑条,横向设置于所述平滑遮蔽条以及所述突出遮蔽条上,所述支撑条彼此平行设置,所述支撑条与所述平滑遮敝条及所述突出遮蔽条垂直交错形成数个像素区块;以及
数个金属条,设置于所述支撑条上,具有数个像素形成区,其中所述像素形成区的面积大于所述像素区块的面积。
2.如权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述平滑遮蔽条与所述突出遮蔽条经过涂覆、曝光与刻蚀工成形后,所述突出遮蔽条与所述平滑遮蔽条结构相同,再对所述突出遮蔽条进行涂覆刻蚀以形成所述突出部。
3.如权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述突出遮蔽条与所述平滑遮蔽条于同一制程中制成平滑遮蔽条的结构后,再对所述突出遮蔽条进行涂覆刻蚀以形成所述突出部。
4.如权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,每行所述像素区块具有相同形状,每相邻两列的所述像素区块具有相对于所述平滑遮蔽条对称的形状,或每相邻两列的所述像素区块具有相对于所述突出遮蔽条对称的形状。
5.如权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述支撑条剖面形状为梯形。
6.如权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,所述金属条为精细金属掩膜。
7.一种掩膜制作方法,所述掩膜用于在基板上制作像素单元,其特征在于,包括:
涂覆第一遮光材料,并将所述第一遮光材料曝光及刻蚀后形成数个平滑遮蔽条;
在部分所述平滑遮蔽条上涂覆并蚀刻出突出部以形成数个突出遮蔽条;
涂覆第二遮光材料,并将所述第二遮光材料曝光及刻蚀形成数个支撑条;
在金属条上设置数个像素形成区;
将数个所述平滑遮蔽条与数个所述突出遮蔽条间隔且平行纵向地设置于掩膜外框上;
将数个所述支撑条横向且平行地连接于所述平滑遮蔽条与所述突出遮蔽条上,所述支撑条与所述平滑遮蔽条及所述突出遮蔽条交错形成数个像素区块;以及
将数个具有像素形成区的金属条设置于所述支撑条上。
8.如权利要求7所述的掩膜制作方法,其特征在于,所述突出遮蔽条与所述平滑遮蔽条于同一道制程中制成平滑遮蔽条的结构后,再对所述突出遮蔽条进行涂覆刻蚀突出部以形成所述突出遮蔽条。
9.如权利要求7所述的掩膜制作方法,其特征在于,每行所述像素区块具有相同形状,每相邻两列的所述像素区块具有相对于所述平滑遮蔽条对称的形状,或每相邻两列的所述像素区块具有相对于所述突出遮蔽条对称的形状。
10.如权利要求7所述的掩膜制作方法,其特征在于,所述支撑条剖面形状为梯形。
11.如权利要求7所述的掩膜制作方法,其特征在于,所述金属条为精细金属掩膜。
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