[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，包括半导体部分、至少一个第一器件、至少一个第二器件和至少一个第一伪环，在由所述半导体部分围绕的第一区上设置所述至少一个第一器件，在第二区上设置所述至少一个第二器件和所述至少一个第一伪环，所述第二区围绕所述第一区；以及

至少一个图案化的介电层，设置在所述半导体衬底上，

所述至少一个第一器件的第一高度大于所述至少一个第一伪环的第一厚度，所述至少一个第一器件的底面低于所述至少一个第一伪环的底面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一器件的所述第一高度大于所述至少一个第二器件的第二高度，并且所述第一厚度大于所述第二高度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一伪环是电浮置的。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一伪环具有倾斜的顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括设置在所述第一区上的至少一个第二伪环，其中，所述至少一个第一伪环和所述至少一个第二伪环围绕所述至少一个第一器件，并且所述至少一个第二伪环比所述至少一个第一伪环更厚。

6.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，包括有源区和围绕所述有源区的外围区、设置在所述有源区上的至少一个第一器件、设置在所述外围区上的至少一个第二器件以及设置在所述外围区上的至少一个第一伪环，其中，所述至少一个第一器件和所述至少一个第二器件由所述有源区的半导体部分间隔开；以及

至少一个图案化的介电层，设置在所述半导体衬底上，其中，所述至少一个第一器件、所述至少一个第二器件和所述至少一个第一伪环嵌入在所述图案化的介电层中，

所述至少一个第一器件的第一高度大于所述至少一个第一伪环的第一厚度，所述至少一个第一器件的底面低于所述至少一个第一伪环的底面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一器件的所述第一高度大于所述至少一个第二器件的第二高度，并且所述第一厚度大于所述第二高度。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一伪环是电浮置的。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一伪环具有倾斜的顶面。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括设置在所述有源区上的至少一个第二伪环，其中，所述至少一个第一伪环和所述至少一个第二伪环围绕所述至少一个第一器件，并且所述至少一个第二伪环比所述至少一个第一伪环更厚。

11.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述半导体衬底还包括嵌入在所述有源区中的第一沟槽隔离和嵌入在所述外围区中的第二沟槽隔离，所述半导体部分位于所述第一沟槽隔离和所述第二沟槽隔离之间，以及在所述第二沟槽隔离上设置所述至少一个第一伪环。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，还包括设置在所述第一沟槽隔离上的至少一个第二伪环，其中，所述至少一个第一伪环和所述至少一个第二伪环围绕所述至少一个第一器件，并且所述至少一个第二伪环比所述至少一个第一伪环更厚。