[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上方形成栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体层和多个层间绝缘层；

形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱，在所述多个沟道柱底部包括外延层，所述外延层延伸至所述衬底；

在所述多个沟道柱侧壁依次形成阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层；以及

去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层，以暴露所述外延层的至少部分上表面，

其中，去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层的步骤是分步进行的，

其中，去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层、多晶硅层和绝缘层的步骤包括：

去除所述绝缘层的底部以形成第一开口；

利用所述第一开口在所述多晶硅层的底部形成第二开口；以及

经所述第二开口去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层和隧穿介质层，同时去除所述绝缘层的侧壁；

采用湿法蚀刻的方法，去除所述多晶硅层的侧壁，并同时在所述外延层上表面形成凹陷区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

所述多晶硅层的厚度包括7至9纳米；所述绝缘层的厚度包括3至5纳米。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述第一开口的步骤包括：

将所述多晶硅层作为停止层，采用冲压的方法形成所述绝缘层的所述第一开口，并同时去除位于所述栅叠层结构上表面之上的所述绝缘层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述第二开口的步骤包括：

采用湿法蚀刻的方法，经所述第一开口蚀刻所述多晶硅层的底部以形成所述第二开口，并同时去除位于所述栅叠层结构的上表面之上的所述多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，

所述多晶硅层的侧部与底部交接的L区域被保留。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其中，湿法蚀刻的方法包括TMAH湿法蚀刻或ADM湿法蚀刻。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，采用干法蚀刻的方法，利用所述外延层的上表面作为停止层、经所述第二开口去除位于所述外延层上方的所述阻挡介质层、电荷存储层和隧穿介质层，同时去除所述绝缘层的侧壁，并蚀刻所述栅叠层结构的上表面以暴露所述栅叠层结构的有效表面。

8.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：

在所述沟道柱的内侧表面、所述凹陷区的表面以及所述栅叠层结构的有效表面均匀沉积多晶硅以形成沟道层，所述沟道层与所述外延层邻接。

9.一种3D存储器件，其中，所述3D存储器件根据权利要求1至8任一项所述的制造方法制成。