[发明专利]一种压电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201811201761.8 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN111048659A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 向勇;胡潇然 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L41/02 | 分类号: | H01L41/02;H01L41/16;H01L41/18;H01L41/317;H01L41/37;H01L41/45 |
代理公司: | 成都帝鹏知识产权代理事务所(普通合伙) 51265 | 代理人: | 黎照西 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种压电薄膜制备方法,其特征在于:其包括以下步骤:
提供偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物及溶剂,将其偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物溶解于溶剂中,以形成偏氟乙烯-三氟乙烯预溶液;提供石墨烯,并将其溶解于溶剂中,以形成石墨烯悬浮液;将偏氟乙烯-三氟乙烯预溶液与石墨烯悬浮液混合、分散后获得偏氟乙烯-三氟乙烯/石墨烯溶液;将偏氟乙烯-三氟乙烯/石墨烯溶液涂布于一衬底之上,干燥处理以形成待处理薄膜;及将待处理薄膜进行极化处理以获得所需压电薄膜。
2.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物的共聚比为90/10-50/50;其中,所述石墨烯的质量占所述偏氟乙烯的质量的百分比为0.005%-2%。
3.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述偏氟乙烯-三氟乙烯预溶液的浓度为1-20wt%,所述石墨烯悬浮液的浓度为0.005-1.5wt%,所述溶剂包括丁酮、N,N-二甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基酰胺中任一种或几种的组合。
4.如权利要求3中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述石墨烯包括剥离的石墨烯片层,所述石墨烯包括含氧官能团,所述石墨烯的含氧量为2%-6%。
5.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述含氧官能团包括羧基、羰基、羟基中的一种或几种的组合;所述石墨烯还包括C-O偶极,所述C-O偶极与所述偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物的偶极相匹配。
6.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述涂布方式包括旋涂、喷涂及全面涂布中任一种;形成的所述待处理薄膜的厚度为2μm-20μm。
7.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述衬底包括ITO玻璃、硅片、铜板、铝板中任一种。
8.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述干燥处理具体包括如下步骤:在室温及真空条件下对待处理薄膜进行烘干处理1-8min,以形成烘干薄膜。
9.如权利要求1中所述压电薄膜制备方法,其特征在于:所述极化处理具体包括以下步骤:在20-30℃下,利用3-20KV的电压极化待处理薄膜1-20min,所述极化的电极端与薄膜表面的距离为0.01-25mm。
10.一种压电薄膜,其特征在于:其是将偏氟乙烯预溶液与石墨烯悬浮液混合、分散后获得偏氟乙烯-三氟乙烯/石墨烯溶液;再将偏氟乙烯-三氟乙烯/石墨烯溶液涂布于一衬底之上,干燥处理以形成待处理薄膜;进一步将待处理薄膜进行极化处理以获得所述压电薄膜;所述压电薄膜的压电系数大于32pc/N。
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