[发明专利]基板处理设备和基板处理方法

说明书

公开了基板处理设备和基板处理方法。基板处理设备包括：腔室，其具有第一壳体和第二壳体，该第一壳体和第二壳体彼此组合以在内部形成处理空间；以及壳体致动器，其移动第一壳体以打开或关闭处理空间。壳体致动器包括：多个缸体单元，其联接到第一壳体；流体供应单元，其供应用于操作多个缸体单元的流体；以及偏差校正单元，其校正多个缸体单元之间的操作偏差。偏差校正单元校正联接到腔室的多个缸体单元之间的操作偏差，从而最少化腔室打开/关闭时产生的颗粒。

技术领域

本文描述的发明构思的实施例涉及基板处理设备和方法，更具体地，涉及包括具有由缸体打开或关闭的处理空间的腔室的基板处理设备以及使用该设备的基板处理方法。

背景技术

半导体器件制造工艺包括去除基板上的残余污染物的清洁工艺。在清洁工艺中，通过将化学物质供应到基板上来去除基板上的污染物的化学工艺、通过将冲洗溶液供应到基板上来去除基板上的化学物质的冲洗工艺以及干燥残留在基板上的冲洗溶液的干燥工艺以连续顺序进行。

通过用有机溶剂替换基板上的冲洗溶液，将超临界流体供应到基板上，以及将有机溶剂溶解在超临界流体中以使有机溶剂与基板分离来进行干燥工艺。

通常，在超临界处理中使用的流体在高于大气压的高压下保持在超临界状态，因此用于使用超临界流体进行处理的腔室内的压力保持为高压。

通常使用的超临界处理腔室具有上壳体和下壳体。上壳体是固定的，而下壳体由多个缸体单元上下移动。为了在处理期间将处理腔室内的压力保持为高压，缸体单元连续地向下壳体施加力以使下壳体和上壳体彼此紧密接触。多个缸体单元连接到下壳体的不同区域，以同时向下壳体施加驱动力。

同一流体供应源将流体供应到多个缸体单元。尽管通常将相同量的流体供应到多个缸体单元中，但是由于机械结构或各种外部环境因素的微小差异，缸体单元的操作位移可能彼此不同。当任何一个缸体单元的操作位移不同于其他缸体单元的操作位移时，下壳体以倾斜状态向上移动。因此，下壳体和上壳体的整个区域不能同时彼此接触，并且下壳体的任何特定区域比下壳体的其他区域更早地与上壳体接触。由此，产生颗粒。颗粒被引入超临界处理腔室中并附着到基板上。此外，比其他区域更早接触上壳体的区域比其他区域更快地磨损。

发明内容

本发明构思的实施例提供基板处理设备和方法，以用于校正联接到超临界处理腔室的多个缸体单元之间的操作偏差，从而最少化在打开或关闭超临界处理腔室时产生的颗粒。

本发明构思的各方面不限于此，并且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文未提及的任何其他方面。

根据实施例的一方面，用于处理基板的设备包括：腔室，具有第一壳体和第二壳体，该第一壳体和第二壳体彼此组合以在内部形成处理空间；以及壳体致动器，移动第一壳体以打开或关闭处理空间。壳体致动器包括：多个缸体单元，联接到第一壳体；流体供应单元，供应用于操作多个缸体单元的流体；以及偏差校正单元，校正多个缸体单元之间的操作偏差。

多个缸体单元中的每一者可以包括：缸体，联接到第一壳体；杆，联接到第二壳体；以及活塞，设置在缸体内并连接到杆，并且将缸体内部分为第一空间和第二空间。

流体供应单元可以包括：第一管线，连接到第一空间以将流体供应到第一空间中或从第一空间取回流体；和第二管线，连接到第二空间以将流体供应到第二空间中或从第二空间取回液体。第一管线和第二管线中的每一者可以包括：集成管线，连接到流体供应源；和多个分支管线，从集成管线分支并分别连接到缸体。

多个分支管线可以包括：多个第一分支管线，经由集成管线上的第一分支阀从集成管线分支；和多个第二分支管线，经由第一分支管线上的第二分支阀从每个第一分支管线分支。

偏差校正单元可以测量缸体单元的操作状态，并且可以根据测量值控制流入或流出第一空间或第二空间的流体。