[发明专利]压力传感器设备和压力传感器设备的制造方法有效

专利信息
申请号: 201811204304.4 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109668673B 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: E·施托斯库;M·波姆;S·亚恩;E·兰德格拉夫;M·韦伯;J·魏登奥 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;B81B7/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;张昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压力传感器 设备 制造 方法
【说明书】:

本公开涉及压力传感器设备和压力传感器设备的制造方法。压力传感器设备(2000)包括压力传感器设备(2000)的半导体管芯(120)和压力传感器设备(2000)的接合线(110)。接合线(110)的一部分与半导体管芯(120)之间的最大垂直距离(2012)大于半导体管芯(120)与覆盖半导体管芯(120)的凝胶(2010)的表面之间的最小垂直距离(2014)。

技术领域

本公开的示例涉及用于保护免受静电放电(ESD)对压力传感器设备的影响及其应用,尤其涉及压力传感器设备以及压力传感器设备的制造方法。

背景技术

压力传感器具有压力端口,该压力端口是封装中的开口,通过该开口可以在压力传感器的感测元件上测量压力。压力端口能够使传感器测量例如汽车的车门腔中的气压。空气体积直接暴露于传感器表面。

由于第一(和第二)层级封装中的压力端口,这种类型的传感器在ESD(测试)期间特别容易受到这种类型的空气放电的影响。在压力端口的空气填充中,在ESD(测试)期间存在高电场。在空气填充过程中,这些会引起气体放电(电晕),从而引起如空气填充中产生自由电荷(离子和电子)、完全隔离的系统内的自由电荷的漂移、空气填充中非常陡峭和不可预测的电场瞬变以及内腔壁和传感器表面的充电的二次效应,具有不受控制的电荷分布。

可以期望为压力传感器设备获得更好的ESD保护。

发明内容

可能需要提供压力传感器设备的概念,这允许提高ESD鲁棒性。

这样的需求可以通过权利要求的主题来满足。

一些实施例涉及一种压力传感器设备,其包括压力传感器设备的半导体管芯以及压力传感器设备的接合线。接合线的一部分与半导体管芯之间的最大垂直距离大于半导体管芯与覆盖半导体管芯的凝胶的表面之间的最小垂直距离。

一些实施例涉及一种压力传感器设备。该压力传感器设备包括压力传感器设备的半导体管芯。压力传感器设备包括压力传感器设备的接合线。接合线的至少一个交叉部分在半导体管芯之上延伸。交叉部分的长度比半导体管芯的尺寸的一半长。

一些实施例涉及一种压力传感器设备。该压力传感器设备包括压力传感器设备的半导体管芯。压力传感器设备包括压力传感器设备的接合线。接合线的第一端接合至半导体管芯的接合焊盘。接合线的第二端是开口端。

一些实施例涉及一种用于制造压力传感器设备的方法。该方法包括提供压力传感器设备的半导体管芯。该方法包括形成压力传感器设备的接合线。接合线的至少一个交叉部分在半导体管芯之上延伸。交叉部分的长度比半导体管芯的尺寸的一半长。

一些实施例涉及一种用于制造压力传感器设备的方法。该方法包括提供压力传感器设备的半导体管芯。该方法包括形成压力传感器设备的接合线。接合线的第一端接合至半导体管芯的接合焊盘,而接合线的第二端是开口端。

附图说明

以下将仅通过示例并参考附图描述装置和/或方法的一些示例,其中

图1示出了压力传感器设备的顶侧的示意图,该压力传感器设备包括在半导体管芯之上具有交叉部分的接合线。

图2示出了包括具有开口端的接合线的压力传感器设备的截面的示意图;

图3示出了用于制造压力传感器设备的方法的流程图;

图4示出了用于制造压力传感器设备并形成接合线的方法的流程图;

图5示出了压力传感器设备的截面的示意图,其中接合线的一端位于封装结构上且接合线的另一端位于半导体管芯上;

图6示出了图5的压力传感器设备的顶侧的示意性顶视图;

图7示出了图5的压力传感器设备的顶侧的另一示意性顶视图;

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