[发明专利]一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种高频垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：

衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，所述衬底背面形成有N型电极层；所述N型层和所述P型层均包括多层反射层；所述发光层、所述电流限制层和所述P型层暴露所述N型层的边缘区域；所述N型层暴露所述衬底的边缘区域；

所述N型层边缘设置有连通所述N型层的多层反射层的导电层；

所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；

所述P型层包括与所述绝缘区域对应的暴露区域，所述暴露区域暴露所述P型层中的底层的反射层；

所述P型电极层覆盖包括所述暴露区域的P型层，所述P型电极层包括与所述电流注入区域对应的出光孔。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型层还包括设置于多层反射层之上的欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型层的多层反射层构成P型分布式布拉格反射镜结构，所述N型层的多层反射层构成N型分布式布拉格反射镜结构。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述P型分布式布拉格反射镜结构包括多层交替的砷化铝层和砷化铝镓层；

所述N型分布式布拉格反射镜结构包括多层交替的砷化铝层和砷化铝镓层。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述电流注入区域为圆孔区域，所述圆孔区域的直径范围为5-15um。

6.一种高频垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：

衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，所述衬底背面形成有N型电极层；所述N型层和所述P型层均包括多层反射层；

所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；

所述P型层包括与所述绝缘区域对应的暴露区域，所述暴露区域暴露所述P型层中的底层的反射层；

所述P型电极层覆盖包括所述暴露区域的P型层，所述P型电极层包括与所述电流注入区域对应的出光孔。

7.一种高频垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：

衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，所述衬底背面形成有N型电极层；所述N型层和所述P型层均包括多层反射层；所述发光层、所述电流限制层和所述P型层暴露所述N型层的边缘区域；所述N型层暴露所述衬底的边缘区域；

所述N型层边缘设置有连通所述N型层的多层反射层的导电层；

所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；

所述P型电极层包括与所述电流注入区域对应的出光孔。

8.一种高频垂直腔面发射激光器芯片的制备方法，用于制备权利要求1至5任一所述的高频垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成N型层、发光层、电流限制层和P型层，所述N型层和所述P型层均包括多层反射层，所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；

去除所述P型层、所述电流限制层和所述发光层的边缘区域，暴露所述N型层的边缘区域；以及去除所述N型层的边缘区域，暴露所述衬底的边缘区域；

蚀刻所述P型层，使得所述P型层形成与所述绝缘区域对应的暴露区域，所述暴露区域暴露所述P型层中的底层的反射层；

在所述P型层上形成P型电极层，使得所述P型电极层覆盖包括所述暴露区域的P型层；

蚀刻所述P型电极层，使得所述P型电极层形成与所述电流注入区域对应的出光孔；

在所述N型层的边缘区域形成连通所述N型层的多层反射层的导电层；

在所述衬底背面形成N型电极层。