[发明专利]一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法在审

申请号：	201811205140.7	申请日：	2018-10-16
公开（公告）号：	CN109088309A	公开（公告）日：	2018-12-25
发明（设计）人：	彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根	申请（专利权）人：	厦门乾照半导体科技有限公司
主分类号：	H01S5/183	分类号：	H01S5/183
代理公司：	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371	代理人：	吴迪
地址：	361000 福建省厦门市厦***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	腔面发射激光器电流限制层暴露区域高频垂直反射层衬底电流注入区域边缘区域绝缘区域芯片发光层多层制备暴露垂直腔面发射激光器芯片边缘设置衬底背面出光孔导电层连通申请覆盖
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【说明书】：

本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法。

背景技术

VCSEL，全名为垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface EmittingLaser)，以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用与光通信、光互连、光存储等领域。

VCSEL芯片中，为了增加发光层的出光率，芯片中的N型层和P型层一般选择分布式布拉格反射镜结构，分布式布拉格反射镜结构包括多个反射层，当芯片中注入高频电流时，布拉格反射镜结构中的多个反射层之间会产生电容效应，致使VCSEL芯片的高频敏感性较差。

综上，现有技术中VCSEL芯片在通高频电流时，高频敏感性较差。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，以提高垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。

第一方面，本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片，包括：

衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，所述衬底背面形成有N型电极层；所述N型层和所述P型层均包括多层反射层；所述发光层、所述电流限制层和所述P型层暴露所述N型层的边缘区域；所述N型层暴露所述衬底的边缘区域；

所述N型层边缘设置有连通所述N型层的多层反射层的导电层；

所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；

所述P型层包括与所述绝缘区域对应的暴露区域，所述暴露区域暴露所述P型层中的底层的反射层；

所述P型电极层覆盖包括所述暴露区域的P型层，所述P型电极层包括与所述电流注入区域对应的出光孔。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，所述P型层还包括设置于多层反射层之上的欧姆接触层。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，所述P型层的多层反射层构成P型分布式布拉格反射镜结构，所述N型层的多层反射层构成N型分布式布拉格反射镜结构。