[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板有效
申请号: | 201811206714.2 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN109461763B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 刘方梅;徐源竣 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
S10,提供一基板,在所述基板上制备薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括有源层;
S20,在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层,其中,所述光吸收层覆盖所述有源层;
S30,在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件;
在制备所述有源层之后,S20还包括:
在所述有源层表面制备栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层;
在所述栅极金属层上制备层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层;
在所述层间绝缘层上制备源漏金属层;
在所述S30之前还包括:
在所述光吸收层表面制备平坦层;
在所述平坦层上制备像素定义层;
其中,所述顶发光OLED器件的阴极制作步骤包括在第一增透层上制备阴极、及在所述阴极上制备第二增透层,所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备,所述像素定义层、所述平坦层以及所述光吸收层包括连通的过孔,用以连接所述顶发光OLED器件的阳极与所述源漏金属层,所述光吸收层还覆盖所述源漏金属层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述光吸收层的厚度为1~3微米。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述S10包括:
S101,在所述基板上制备缓冲层;
S102,在所述缓冲层上制备所述有源层。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述S10还包括:
S107,在所述源漏金属层上制备钝化层,所述钝化层覆盖所述源漏金属层。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述S20中,在所述钝化层表面制备所述光吸收层。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述S30包括:
S301,在所述像素定义层上制备阳极;
S302,在所述阳极上制备有机发光层;
S303,在所述有机发光层上制备半透明阴极。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:
薄膜晶体管层,设置于一基板上,所述薄膜晶体管层包括有源层以及源漏金属层;
光吸收层,设置于所述薄膜晶体管层上;
设置于所述光吸收层上的平坦层以及像素定义层;
顶发光OLED器件,设置于所述光吸收层上;
其中,所述光吸收层覆盖所述有源层以及所述源漏金属 层,所述光吸收层采用红色光阻或黑色光阻材料制备,所述顶发光OLED器件的阴极层包括第一增透层、位于所述第一增透层上的阴极、及位于所述阴极上的第二增透层,所述像素定义层、所述平坦层以及所述光吸收层包括连通的过孔,用以连接所述顶发光OLED器件的阳极与所述源漏金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的