[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板有效

专利信息
申请号: 201811206714.2 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN109461763B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 刘方梅;徐源竣 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

S10,提供一基板,在所述基板上制备薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括有源层;

S20,在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层,其中,所述光吸收层覆盖所述有源层;

S30,在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件;

在制备所述有源层之后,S20还包括:

在所述有源层表面制备栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层;

在所述栅极金属层上制备层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层;

在所述层间绝缘层上制备源漏金属层;

在所述S30之前还包括:

在所述光吸收层表面制备平坦层;

在所述平坦层上制备像素定义层;

其中,所述顶发光OLED器件的阴极制作步骤包括在第一增透层上制备阴极、及在所述阴极上制备第二增透层,所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备,所述像素定义层、所述平坦层以及所述光吸收层包括连通的过孔,用以连接所述顶发光OLED器件的阳极与所述源漏金属层,所述光吸收层还覆盖所述源漏金属层。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述光吸收层的厚度为1~3微米。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述S10包括:

S101,在所述基板上制备缓冲层;

S102,在所述缓冲层上制备所述有源层。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述S10还包括:

S107,在所述源漏金属层上制备钝化层,所述钝化层覆盖所述源漏金属层。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述S20中,在所述钝化层表面制备所述光吸收层。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述S30包括:

S301,在所述像素定义层上制备阳极;

S302,在所述阳极上制备有机发光层;

S303,在所述有机发光层上制备半透明阴极。

7.一种显示面板,其特征在于,包括:

薄膜晶体管层,设置于一基板上,所述薄膜晶体管层包括有源层以及源漏金属层;

光吸收层,设置于所述薄膜晶体管层上;

设置于所述光吸收层上的平坦层以及像素定义层;

顶发光OLED器件,设置于所述光吸收层上;

其中,所述光吸收层覆盖所述有源层以及所述源漏金属 层,所述光吸收层采用红色光阻或黑色光阻材料制备,所述顶发光OLED器件的阴极层包括第一增透层、位于所述第一增透层上的阴极、及位于所述阴极上的第二增透层,所述像素定义层、所述平坦层以及所述光吸收层包括连通的过孔,用以连接所述顶发光OLED器件的阳极与所述源漏金属层。

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