[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板

说明书

一种显示面板的制备方法及显示面板，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件，所述光吸收层用以吸收来自所述OLED器件方向的光线。有益效果：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示屏按光的取出方式可分为底发光型和顶发光型，由于主动式OLED发光器件是由薄膜晶体管来驱动的，底发光型OLED出光的光线会经过阵列基板，被阵列基板上的薄膜晶体管和金属线路所阻挡，所以实际发光面积受到限制，而在顶发光型OLED器件中，光线不经过阵列基板，不会受到驱动电路的阻挡，相比底发光型结构，顶发光型OLED器件具有更高的开口率，且其色彩饱和度、发光纯度及亮度更高，产品寿命相对更长，因此顶发光型OLED逐渐成为主动式OLED发光器件的主流。

由于顶发光型OLED发光器件的光是从顶端取出，为了使光的取出效率达到最大，因此器件一般采用反射率较高的金属阳极作为底面反射镜，而顶端则为便于光发出而采用透明或半透电极作为阴极，但是，由于阵列基板的上方没有设置遮光层，OLED发光层发出的光线经阴极金属层反射，导致有部分光线进入TFT(Thin-film transistor，薄膜晶体管)器件中，且环境光也会从OLED器件透过进入TFT器件，对TFT器件的电学特性造成影响。

综上所述，在顶发光型OLED显示面板中，来自OLED发光器件方向的环境光和从顶部阴极反射回来的光线会进入TFT器件，使得TFT器件的电性劣化，进而影响显示。

发明内容

本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板，能够保护TFT器件免受光线的照射而导致TFT器件电性劣化，以解决现有的顶发光型显示面板，由于OLED工作时发出的光线需要穿过上层阴极金属层，导致部分光线从金属层反射回来进入阵列基板，致使TFT器件的电性受到光照影响从而劣化，进而影响显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种显示面板的制备方法，包括：

S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；

S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；

S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件。

根据本发明一优选实施例，所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备。

根据本发明一优选实施例，所述光吸收层的厚度为1～3微米。

根据本发明一优选实施例，所述S10包括：

S101，在所述基板上制备缓冲层；

S102，在所述缓冲层上制备所述有源层；

S103，在所述有源层表面制备栅极绝缘层；

S104，在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层；

S105，在所述栅极金属层上制备层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层；

S106，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层；

根据本发明一优选实施例，所述S10还包括：