[发明专利]基板处理方法和装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，所述方法包括：

第一处理操作，在所述第一处理操作中，在供处理基板的处理空间关闭的状态下，将所述基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热所述基板；

在所述第一处理操作之后的第二处理操作，在所述第二处理操作中，降低所述基板并增大所述基板与位于所述支撑板上方的引导板之间的间隔使得所述基板位于第二高度并加热所述基板；

在所述第二处理操作之后的第三处理操作，在所述第三处理操作中，升高所述基板并减小所述基板与所述引导板之间的间隔使得所述基板与所述支撑板间隔开以位于第三高度并加热所述基板；和

在所述第三处理操作之后的第四处理操作，在所述第四处理操作中，降低所述基板使得所述基板位于第四高度并加热所述基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二高度和所述第四高度是所述基板位于所述支撑板上的位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一高度和所述第三高度是相同的高度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述第一处理操作执行持续第一时间段，将所述第二处理操作执行持续第二时间段，将所述第三处理操作执行持续第三时间段，将所述第四处理操作执行持续第四时间段，并且所述第二时间段和所述第三时间段中的每一个都短于所述第一时间段或所述第四时间段。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二时间段短于所述第三时间段。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第四时间段长于所述第一时间段。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述基板处理包括加热所述基板的烘烤工艺，所述基板上涂布有光敏液体。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法，其中，所述处理空间设置有所述引导板，所述引导板被配置为面向所述支撑板并且引导所述处理空间中的气流，并且

其中，所述引导板的高度在所述第一处理操作、所述第二处理操作、所述第三处理操作和所述第四处理操作中的一些中被不同地设置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，当升高所述基板时降低所述引导板，并且当降低所述基板时升高所述引导板。

10.一种基板处理装置，包括：

腔室，所述腔室在其内部具有处理空间；

支撑板，所述支撑板位于所述处理空间中，并且所述支撑板的上表面被设置为支撑所述基板的支撑表面；

加热器，所述加热器被设置在所述支撑板中并且被配置为加热所述基板；

升降销，所述升降销在降低位置和升高位置之间可移动，在所述降低位置，所述升降销的上端位于所述支撑表面下方，在所述升高位置，所述升降销的所述上端突出到所述支撑表面的上侧；

引导板，所述引导板位于所述支撑板上方；以及

控制器，所述控制器被配置为控制所述升降销，并且被配置为控制所述升降销以依次执行：在所述基板与所述支撑板间隔开的第一高度处加热所述基板的第一处理操作；降低所述基板并增大所述基板与位于所述支撑板上方的引导板之间的间隔使得所述基板位于第二高度并加热所述基板的第二处理操作；升高所述基板并减小所述基板与所述引导板之间的间隔使得所述基板与所述支撑板间隔开以位于第三高度并加热所述基板的第三处理操作；和降低所述基板使得所述基板位于第四高度并加热所述基板的第四处理操作。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述第二高度和所述第四高度中的每一个是所述基板位于所述支撑板上的位置，并且所述第一高度和所述第三高度是相同的高度。