[发明专利]基板处理方法和装置

说明书

本发明构思提供了一种用于对基板进行热处理的装置和方法。该方法包括：第一处理操作，即在供处理基板的处理空间被关闭的状态下将基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热基板；在第一处理操作之后的第二处理操作，即降低基板使得基板位于第二高度并加热基板；在第二处理操作之后的第三处理操作，即升高基板使得基板与支撑板间隔开以位于第三高度并加热基板；以及在第三处理操作之后的第四处理操作，即降低基板使得基板位于第四高度并加热基板。因此，通过调节处理空间的气流速度，可以使中心区域与边缘的温差最小化，并且可以迅速地排出工艺副产物。

技术领域

本文描述的发明构思的实施方式涉及用于对基板进行热处理的方法和装置。

背景技术

执行诸如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入的各种工艺以制造半导体器件。在这些工艺当中，使用涂布工艺作为在基板上形成液膜的工艺。通常，涂布工艺是通过将处理液涂布到基板上来形成液膜的工艺。

在基板上形成液膜之前和之后，执行烘烤基板的烘烤工艺。烘烤工艺是在封闭空间中将基板加热到处理温度或更高温度的过程，并通过在液膜上散布有机材料来稳定液膜。在烘烤工艺中，必须根据操作将基板的整个区域在均匀温度下加热。

然而，在处理基板的空间中，引入气流的区域和排出气流的区域不同，并且基板的与引入区域相邻的区域和与排出区域相邻的区域的温度不同。因此，对于这些区域，液膜被不均匀地加热，且因此，对于这些区域，液膜的厚度是不同的。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了用于均匀地烘烤基板的整个区域的装置和方法。

本发明构思的实施方式还提供了用于均匀地调整形成在基板上的液膜的厚度的装置和方法。

本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且从以下描述中，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。

本发明构思提供了一种用于对基板进行热处理的装置和方法。该方法包括：第一处理操作，即在供处理基板的处理空间被关闭的状态下将基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热基板；在第一处理操作之后的第二处理操作，即降低基板使得基板位于第二高度并加热基板；在第二处理操作之后的第三处理操作，即升高基板使得基板与支撑板间隔开以位于第三高度并加热基板；以及在第三处理操作之后的第四处理操作，即降低基板使得基板位于第四高度并加热基板。

第二高度和第四高度可以是基板位于支撑板上的位置。第一高度和第三高度可以是相同的高度。

可以将第一处理操作执行持续第一时间段，可以将第二处理操作执行持续第二时间段，可以将第三处理操作执行持续第三时间段，可以将第四处理操作执行持续第四时间段，并且第二时间段和第三时间段可以短于第一时间段或第四时间段。第二时间段可以短于第三时间段。第四时间段可以长于第一时间段。

对基板的处理可以包括加热基板的烘烤过程，该基板涂布有光敏液体。

处理空间可以设置有引导板，该引导板位于支撑板上方以面向支撑板并且被配置为引导处理空间中的气流，并且引导板的高度可以在第一处理操作、第二处理操作、第三处理操作和第四处理操作的一些中被不同地设置。当基板被升高时，引导板可以被降低，而当基板被降低时，引导板可以被升高。

一种基板处理装置，包括：腔室，该腔室在其内部具有处理空间；支撑板，其位于处理空间中，支撑板的上表面被设置为支撑基板的支撑表面；加热器，其设置在支撑板中并且被配置为加热基板；升降销，其在降低位置和升高位置之间可移动，在降低位置，升降销的上端位于支撑表面下方，在升高位置，升降销的上端突出到支撑表面的上侧；和控制器，其被配置为控制升降销，其中控制器可以控制升降销以依次执行：在基板与支撑板间隔开的第一高度处加热基板的第一处理操作；降低基板使得基板位于第二高度并加热基板的第二处理操作；将基板升高到基板与支撑板间隔开的第三高度并加热基板的第三处理操作；和降低基板使得基板位于第四高度并加热基板的第四处理操作。