[发明专利]量子点器件和电子设备

权利要求书

1.量子点器件，其包括

阳极，

在所述阳极上的空穴注入层，

在所述空穴注入层上的空穴传输层，

在所述空穴传输层上的量子点层，和

在所述量子点层上的阴极，

其中所述量子点层的最高占据分子轨道能级大于或等于5.6电子伏，

所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于0.5电子伏，

所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和

所述空穴注入层的第一表面的最高占据分子轨道能级不同于所述空穴注入层的第二表面的最高占据分子轨道能级。

2.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述空穴注入层的第二表面的最高占据分子轨道能级大于所述空穴注入层的第一表面的最高占据分子轨道能级。

3.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述空穴注入层的第二表面的最高占据分子轨道能级与所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于0.5电子伏。

4.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级大于或等于5.4电子伏。

5.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级为5.6电子伏-7电子伏。

6.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述空穴注入层的第一表面的最高占据分子轨道能级为5.0电子伏-5.5电子伏，和

所述空穴注入层的第二表面的最高占据分子轨道能级大于5.5电子伏且小于或等于7电子伏。

7.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述空穴注入层包括第一化合物和第二化合物，所述第二化合物具有比所述第一化合物高的最高占据分子轨道能级和比所述第一化合物的表面能小的表面能。

8.如权利要求7所述的量子点器件，其中

所述第一化合物包括导电聚合物，和

所述第二化合物包括绝缘聚合物。

9.如权利要求7所述的量子点器件，其中在所述空穴注入层的第二表面处的所述第二化合物对所述第一化合物的重量比率大于在所述空穴注入层的第一表面处的所述第二化合物对所述第一化合物的重量比率。

10.如权利要求7所述的量子点器件，其中所述第二化合物对所述第一化合物的重量比率从所述空穴注入层的第一表面至所述空穴注入层的第二表面逐渐升高。

11.如权利要求7所述的量子点器件，其中所述第一化合物包括聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚(对-亚苯基)、聚芴、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、其衍生物、或它们的组合。

12.如权利要求7所述的量子点器件，其中所述第二化合物包括含氟聚合物。

13.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述量子点层的最高占据分子轨道能级为5.6电子伏-7电子伏。

14.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述量子点层包括无镉量子点。

15.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述量子点层包括具有芯-壳结构的量子点。

16.如权利要求15所述的量子点器件，其中所述量子点包括包含锌、碲、和硒的芯以及在所述芯的至少一部分上的壳，所述壳具有与所述芯的组成不同的组成。

17.如权利要求16所述的量子点器件，其中所述壳包括ZnSeS、ZnS、或它们的组合。