[发明专利]量子点器件和电子设备

说明书

公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2017年11月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0155647的优先权、以及由其产生的所有权益，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

公开量子点器件和电子设备。

背景技术

不同于块体材料，纳米颗粒的本征物理特性(例如，能带隙、熔点等)可通过改变纳米颗粒尺寸而控制。例如，当半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)被供应光能或电能时，其可发射与所述量子点的尺寸对应的波长的光。因此，可使用量子点作为发射特定波长的光的发光元件。

发明内容

量子点可用作器件的发光元件，并且已经成为近来研究的主题。然而，量子点不同于常规的发光元件，并且因此需要改善量子点器件的性能的新方法。

一种实施方式提供能够实现改善的性能的量子点器件。

另一实施方式提供包括所述量子点器件的电子设备。

根据一种实施方式，量子点器件包括阳极、设置在所述阳极上的空穴注入层、设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上的量子点层、和设置在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的HOMO能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。

所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级可大于所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级。

所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级与所述空穴传输层的HOMO能级之间的差值可小于约0.5eV。所述差值可大于或等于0。

所述空穴传输层的HOMO能级可大于或等于约5.4eV。

所述空穴传输层的HOMO能级可为约5.6eV-约7eV。

所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级可为约5.0eV-约5.5eV，和所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级可大于约5.5eV且小于或等于约7eV。

所述空穴注入层可包括第一化合物和第二化合物，和所述第二化合物可具有比所述第一化合物高的HOMO能级和比所述第一化合物的表面能小的表面能。

所述第一化合物可包括导电聚合物，和所述第二化合物可包括绝缘聚合物。

在所述空穴注入层的第二表面处的所述第二化合物对所述第一化合物的重量比率可大于在所述空穴注入层的第一表面处的所述第二化合物对所述第一化合物的重量比率。

所述第二化合物对所述第一化合物的重量比率可从所述空穴注入层的第一表面至所述空穴注入层的第二表面逐渐升高。

所述第二化合物可以比所述第一化合物大的量存在。

所述第一化合物对所述第二化合物的重量比率可为约1:1.1-约1:10。