[发明专利]电容器以及具有该电容器的板有效

专利信息
申请号: 201811210310.0 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN109817454B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 文先载;崔才烈;李承熙;李种晧;车炅津 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/232 分类号: H01G4/232
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 陈宇;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电容器 以及 具有
【说明书】:

本发明提供了电容器和包括该电容器的板。所述电容器包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。所述电容器包括Sn,所述Sn具有等于或小于0.02cph/cm2的α粒子发射率。

本申请要求于2017年11月22日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0156673号韩国专利申请以及于2017年12月19日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0175277号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用其全部而包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电容器以及具有该电容器的板。

背景技术

根据电子产品的小型化以及为了增大便携式电子产品的使用时间的持久而增大电池的尺寸,已经增大了对无源元件的数量和尺寸以及印刷电路板(PCB)的尺寸的限制。

因此,已经增加了对电容器的小型化和高电容的需求,并且也已经增加了对使用Sn(锡)作为原材料的半导体装置的致密化和高电容的需求。

然而,Sn可能会发射大量的α辐射,当例如由于半导体装置的小型化和致密化而将Sn设置在半导体芯片附近时,可能发生导致存储器单元的信息丢失的软错误。

因此,需要使用仅发射少量α辐射的Sn作为包括在半导体装置和焊料中的Sn,以减少软错误。然而,未考虑作为与半导体装置相邻的组件的电容器受诸如软错误的错误的影响。

发明内容

本公开的一方面可以通过控制包括在电容器中的Sn(锡)的α粒子发射率来防止软错误。

根据本公开的一方面,一种电容器包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。所述电容器包括Sn,所述Sn具有等于或小于0.02cph/cm2的α粒子发射率。

根据本公开的另一方面,一种具有电容器的板包括:印刷电路板,具有其上设置有电极焊盘的一个表面;以及所述电容器,安装在所述印刷电路板上。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征及优点,在附图中:

图1是根据本公开中的示例性实施例的电容器的示意性透视图;

图2是沿图1中的线I-I'截取的示意性截面图;

图3是示出图1的电容器安装在印刷电路板上的状态的透视图;以及

图4是沿图3中的线II-II'截取的示意性截面图。

具体实施方式

现在将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。

电容器

图1是根据本公开中的示例性实施例的电容器的示意性透视图。图2是沿图1中的线I-I'截取的示意性截面图。

在下文中,将参照图1和图2描述根据本公开中的示例性实施例的电容器100。

参照图1和图2,根据本公开中的示例性实施例的电容器100包括包含介电层111及内电极121和122的主体110以及设置在主体110上的外电极131和132,并且包括Sn(锡),Sn具有等于或小于0.02次/小时(counts per hour)(cph)/cm2的α粒子发射率。

通常,锡(Sn)是焊料的主要原材料,并且已经广泛用于包括以下的应用:半导体装置的制造、半导体芯片与板之间的结合、诸如集成电路(IC)或大规模集成电路(LSI)的硅芯片与引线框架或陶瓷封装件的结合、带式自动键合(TAB)或倒装芯片、在制造电容器时形成焊料、用于半导体的布线材料等。

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