[发明专利]基板、拍摄单元及拍摄装置在审
申请号: | 201811210483.2 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN109616485A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 菅沼亮一;有马洋文;铃木智;佐藤琢也 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;H05K1/02;H05K1/05;H05K1/11;H05K1/18;H05K3/46;H05K1/03;H05K3/44 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 弹性模量 基板 拍摄单元 拍摄装置 夹持 芯层 | ||
本发明涉及基板、拍摄单元及拍摄装置。基板具有:第1绝缘层;具有与第1绝缘层的弹性模量不同的弹性模量的第2绝缘层;以及夹持在第1绝缘层及第2绝缘层之间,且刚性比第1绝缘层及第2绝缘层的刚性高的芯层。
本申请是国际申请号为PCT/JP2013/001678、申请日为2013年3月13日、国家申请号为201380043799.6、发明名称为“基板、拍摄单元及拍摄装置”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及基板、拍摄单元及拍摄装置。
背景技术
已知一种拍摄装置,其配置在拍摄单元的基板上的连接器与配置在主电路基板上的连接器经由导通部件连接。此外,还已知使布线图案多层化的多层基板。尤其已知在芯层采用金属层的金属芯基板。在金属层的表背面形成有绝缘树脂层。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2011-59272号公报
专利文献2:日本特开2012-028496号公报
发明内容
作为金属芯基板中的绝缘树脂层的材料,采用FR(Flame Retardant Type)4等高弹性模量的材料。当在这样的金属芯基板上安装拍摄芯片的情况下,存在将金属芯基板与拍摄芯片在加热状态下接合的情况。在该情况下,由于各层布线图案的热膨胀或收缩,高弹性的绝缘树脂层也会变形。其结果是,金属芯基板会发生翘曲。
由于在拍摄单元的基板与配置于该基板的连接器之间的接触面上所产生的接触阻抗,有时会引起导通部件的接触不良。
在第1方式中,基板具有:第1绝缘层;具有与所述第1绝缘层的弹性模量不同的弹性模量的第2绝缘层;以及夹持在所述第1绝缘层及所述第2绝缘层之间,且刚性比所述第1绝缘层及所述第2绝缘层高的芯层。
在第2方式中,拍摄单元具有拍摄芯片和所述基板,所述拍摄芯片安装于所述布线层。
在第3方式中,拍摄单元具有拍摄芯片和所述基板,芯层是经由传热路径而承受在拍摄芯片产生的热量的层。
在第4方式中,基板包括第1绝缘层、层叠于第1绝缘层的芯层、层叠于芯层的第2绝缘层、以及布线层,其特征在于,布线层具有与所述芯层的外缘相比向外侧延伸的延伸部。
在第5方式中,拍摄单元的特征在于,具有第4方式的基板、和载置于基板的拍摄芯片,拍摄芯片与布线层电连接。
在第6方式中,基板包括第1绝缘层、层叠于第1绝缘层的芯层、层叠于芯层的第2绝缘层、第1布线层、以及第2布线层,其特征在于,第1布线层具有与所述芯层的外缘相比向外侧延伸的第1延伸部,第2布线层具有与所述芯层的外缘相比向外侧延伸的第2延伸部。
在第7方式中,拍摄单元的特征在于,具有第6方式的基板、和载置于基板的拍摄芯片,拍摄芯片与所述第1布线层及所述第2布线层中的任一布线层电连接。
在第8方式中,基板的特征在于,具有:第1层,设有用于与芯片的电极连接的多个焊盘;连接图案,将多个焊盘中第1种类的焊盘中的至少第1焊盘与第2焊盘连接;贯通电极,经由连接图案而将所述第1焊盘及所述第2焊盘电连接;以及第2层,是不同于第1层的层,且与所述贯通电极连接。
在第9方式中,拍摄单元的特征在于,具有第8方式的基板、和载置于基板的拍摄芯片,拍摄芯片与述基板的焊盘电连接。
在第10方式中,拍摄装置具有所述拍摄单元。
另外,上述的发明的概要并非列举了本发明所需要的全部特征。此外,这些特征群的子组合也能够成为本发明。
附图说明
图1是拍摄单元的示意性剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的