[发明专利]一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，包括基材（1），其特征在于，所述基材（1）的上侧设有高透光树脂层（2），在高透光树脂层（2）内部嵌入有多个纳米导磁材料颗粒（3），在高透光树脂层（2）上均匀排布有多个凹槽，每个凹槽内部由下至上均匀分布有纳米金属导电材料层（4）、纳米金属导磁材料层（5）和黑化纳米材料层（6）。

2.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基材1的材质为PET、PC、PEN、PP和PS中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述高透光树脂层（2）中的高透光树脂的材质为PETG和TPU中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述纳米金属导电材料层（4）为纳米铜导电油墨层。

5.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述纳米金属导磁材料层（5）为纳米导磁油墨层。

6.根据权利要求1所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜，其特征在于，所述黑化纳米材料层（6）为黑化油墨层。

7.一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1、根据需要选择合适的材料作为基材（1）；

S2、在基材1上粘结高透光树脂形成高透光树脂层（2）；

S3、根据需要制作模具；

S4、利用步骤S3中制作好的模具在高透光树脂层（2）上进行纹理转印形成凹槽结构；

S5、将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨按照设计依次填入步骤S4中的凹槽结构内，形成导电线路网格；

S6、根据需要在步骤S5中已经烧结成型的导线线路表面通过电沉积或化学沉积的方式在网格表面沉积纳米导磁材料，在高透光树脂层（2）内部形成纳米导磁待料颗粒（3）。

8.根据权利要求7所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用高精度光学曝光工艺将光阻曝光显影实现微结构发生。

9.根据权利要求7所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，具体采用曝光UV树脂的方式进行纹理转印。

10.根据权利要求7所述的一种内陷式透明金属网格电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，具体采用凹版印刷的方式将纳米铜导电油墨、纳米导磁油墨、黑化油墨依次填入凹槽结构内，填充完毕后进行烧结成型。