[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

半导体层，其具有主面，并能生成光；

光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；

光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和

接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素，

所述光透射层具有与所述光反射层接合的接合面，

所述接合材料扩散区域以与所述光透射层的所述接合面的全部区域接触的方式，形成在所述光透射层与所述光反射层的边界部的所述光反射层的表层部。

2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

还包括接合材料层，其以隔着所述光反射层与所述光透射层相对的方式覆盖所述光反射层，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。

3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述接合材料扩散区域包含与所述接合材料层所含的元素同种的元素。

4.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述接合材料层形成为使具有对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素向所述光反射层的表层部扩散来供给该元素的元素供给源，

所述接合材料扩散区域包含从所述接合材料层扩散到所述光反射层的表层部的元素。

5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述光反射层包含金。

6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述光透射层包含氧化铟锡，

所述接合材料扩散区域包含铬作为具有对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。

7.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述光透射层包含氧化硅和氮化硅中的任一者或两者，

所述接合材料扩散区域包含铍作为具有对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。

8.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

还包括接触电极，其埋入于在所述光透射层形成的接触孔中，

所述接合材料扩散区域形成在所述接触电极与所述接合材料层之间，且以与所述光透射层的所述接合面和所述接触电极接触的方式形成。

9.如权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于：

包括在所述半导体层的与所述主面相反侧的第二主面局部地形成的电极，

所述接触电极以俯视时与所述电极不重叠的方式形成。

10.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述接合材料层的厚度与所述光反射层的厚度之比为0.5以上5.0以下。

11.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述接合材料层的厚度为0.05μm以上0.25μm以下。

12.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述接合材料扩散区域具有所述光透射层侧的贴紧力高的元素的含有率比所述接合材料层侧的贴紧力高的元素的含有率低的浓度梯度。