[发明专利]半导体发光器件

说明书

本发明提供一种半导体发光器件，其包括：半导体层，其具有主面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。本发明能够提高光反射层对光透射层的贴紧力。

本申请与2017年10月18日在日本国特许厅提出的日本特愿2017－202116号和2018年8月29日在日本国特许厅提出的日本特愿2018－160697号对应，在此通过引用这些申请的全部公开内容而编入本申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件。

背景技术

专利文献1(日本特开2005－175462号公报)中，公开了一种半导体发光元件。该半导体发光元件具有通过第一接合金属层和第二接合金属层接合非发光部分与发光部分的结构。

非发光部分包括硅基片和覆盖硅基片的第二接合金属层。发光部分包括能生成光的半导体区域、覆盖半导体区域的主面的光透射层、覆盖光透射层的光反射层和覆盖光反射层的第一接合金属层。

发光部分中，使半导体区域的主面以与非发光部分的硅基片的主面相对的姿态配置于非发光部分之上。在该状态下，发光部分的第一接合金属层与非发光部分的第二接合金属层接合。

发明内容

如专利文献1的半导体发光元件，在光透射层被光反射层覆盖的结构中，有时讨论光反射层对光透射层的亲和性。

例如，在光反射层对光透射层的亲和性低的情况下，光反射层对光透射层的贴紧力不足，光反射层的光反射率可能降低。

因此，本发明的一实施方式的一个目的在于，提供一种能够提高光反射层对光透射层的贴紧力的半导体发光器件。

本发明的一实施方式提供一种半导体发光器件，其包括：半导体层，其具有主面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。

依照该半导体发光器件，接合材料扩散区域形成于光透射层与光反射层之间的边界部的光反射层的表层部。接合材料扩散区域包含具有与构成光反射层的元素相比对光透射层的贴紧力高的性质的元素。由此，能够提高光反射层对光透射层的贴紧力。

本发明的一实施方式提供一种半导体发光器件，其包括：非发光体部，其包括：具有一侧的第一正面及另一侧的第一背面的基片；和具有光反射性，且覆盖所述基片的所述第一正面的第一光反射层，和发光体部，其包括：半导体层，其具有一侧的第二正面及另一侧的第二背面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述第二正面；第二光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；以及接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述第二光反射层之间的边界部的所述第二光反射层的表层部，并包含具有与构成所述第二光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素，所述发光体部以使所述半导体层的所述第二正面与所述非发光体部的所述基片的所述第一正面相对的姿态配置于所述非发光体部上。

依照该半导体发光器件，接合材料扩散区域形成于光透射层与第二光反射层之间的边界部的第二光反射层的表层部。接合材料扩散区域包含具有与构成第二光反射层的元素相比对光透射层的贴紧力高的性质的元素。由此，能够提高第二光反射层对光透射层的贴紧力。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的半导体发光器件的平面图。

图2是本发明的第一实施方式的半导体发光器件的截面图，是表示图1的II－II截面的图。