[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：

腔室，包括外壁和窗口，所述外壁限定其中形成等离子体的反应空间，所述窗口覆盖所述外壁的上部；

线圈天线，设置在所述窗口之上，所述线圈天线包括至少两个线圈；以及

静电吸盘(ESC)，设置在所述腔室的下部中，

其中：

要被处理的物体可支撑在所述ESC的顶表面上，并且电极位于所述ESC内，并且

所述电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于保持所述物体，所述第一电极提供在所述ESC的内部中央部分中从而与所述ESC的所述顶表面平行，所述至少一个第二电极提供在所述ESC的内部的边缘处从而相对于所述ESC的所述顶表面具有倾斜。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中直流(DC)功率和射频(RF)功率之一独立于所述第一电极地被供应到所述至少一个第二电极。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中：

所述至少一个第二电极具有单个一体结构，并且

所述单个一体结构是板形倾斜结构或阶梯形倾斜结构。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中：

所述至少一个第二电极包括阶梯形倾斜结构中的多段，并且

直流(DC)功率或射频(RF)功率可独立地供应到所述多段中的每段。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述至少一个第二电极在从所述ESC的边缘朝向中央的方向上远离所述ESC的所述顶表面。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括配置为支撑所述ESC的ESC支撑件，其中：

电介质插入层形成在所述ESC支撑件内，并且

处于固体状态或流体状态的高k电介质提供在所述电介质插入层中。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中：

所述电介质插入层具有两个层级；并且

所述高k电介质处于固体状态，提供在所述电介质插入层的所述两个层级的每个中，并在所述电介质插入层的中央部分和边缘部分之间可移动。

8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中：

所述电介质插入层由阻隔壁分成中央部分和边缘部分；并且

所述高k电介质处于流体状态并被注入到所述中央部分或所述边缘部分中，并且所述高k电介质的量是可调整的。

9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其中：

所述窗口包括在其顶表面的边缘处的凹槽，并且

所述线圈天线的附加线圈在所述凹槽中并配置为在所述凹槽内可上下移动。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中：

所述至少两个线圈包括内线圈、外线圈和附加线圈；

所述窗口包括在其顶表面的边缘处的凹槽；并且

所述附加线圈在所述凹槽中。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中所述附加线圈配置为在所述凹槽内可上下移动。

12.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：

腔室，包括外壁和窗口，所述外壁限定其中形成等离子体的反应空间，所述窗口覆盖所述外壁的上部；

线圈天线，设置在所述窗口之上，所述线圈天线包括至少两个线圈；

静电吸盘(ESC)，设置在所述腔室的下部中；以及

ESC支撑件，配置为支撑所述ESC，

其中：

要被处理的物体可支撑在所述ESC的顶表面上并且电极位于所述ESC内；并且

电介质插入层形成在所述ESC支撑件内，并且

处于固体状态或流体状态的高k电介质提供在所述电介质插入层中以是可移动的或在量上可调整的。