[发明专利]等离子体处理装置

说明书

提供了一种等离子体处理装置，用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布，从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括：腔室，包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口；线圈天线，设置在窗口之上并包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中电极位于ESC内，其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于吸附，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。

技术领域

实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

等离子体被泛地用于半导体器件、等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、太阳能电池等的制造工艺。代表性的等离子体工艺可以包括干蚀刻、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射和灰化。

发明内容

实施方式可以通过提供一种等离子体处理装置来实现，该等离子体处理装置包括：腔室，包括外壁和窗口，该外壁限定其中形成等离子体的反应空间，该窗口覆盖外壁的上部；线圈天线，设置在窗口之上，该线圈天线包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中要处理的物体可支撑在ESC的顶表面上，并且电极位于ESC内，该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于保持物体，该第一电极提供在ESC的内部中央部分中从而与ESC的顶表面平行，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。

实施方式可以通过提供一种等离子体处理装置来实现，该等离子体处理装置包括：腔室，包括外壁和窗口，该外壁限定其中形成等离子体的反应空间，该窗口覆盖外壁的上部；线圈天线，设置在窗口之上，该线圈天线包括至少两个线圈；静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中；以及ESC支撑件，配置为支撑ESC，其中要处理的物体可支撑在ESC的顶表面上，电极位于ESC内；以及电介质插入层，形成在ESC支撑件内，并且处于固体状态或流体状态的高k电介质提供在电介质插入层中以是可移动的或在量上是可调整的。

实施方式可以通过提供一种等离子体处理装置来实现，该等离子体处理装置包括：腔室，包括外壁和窗口，该外壁限定其中形成等离子体的反应空间，该窗口覆盖外壁的上部；线圈天线，设置在窗口之上，该线圈天线包括内线圈、外线圈和附加线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中要处理的物体可支撑在ESC的顶表面上并且电极位于ESC内，该窗口包括在其顶表面的边缘处的凹槽，该附加线圈在该凹槽中。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，各特征对于本领域技术人员将是明显的，附图中；

图1示出根据实施方式的等离子体处理装置的示意图；

图2A至图2C示出根据实施方式的可分别应用于等离子体处理装置的静电吸盘(ESC)结构的截面图；

图3A至图3C示出概念图，示出采用图2A所示的ESC结构的等离子体处理装置的效果与采用其中不具有倾斜电极的ESC的等离子体处理装置的效果的比较；

图4A和图4B示出曲线图，示出当射频(RF)脉冲电压和直流(DC)脉冲电压分别施加到图2A所示的等离子体处理装置中的倾斜电极时获得的效果；

图5A至图5D示出根据实施方式的可应用于等离子体处理装置的ESC支撑结构的截面图和平面图；

图6A和图6B示出采用图5A和图5C所示的ESC支撑结构的等离子体处理装置的效果的概念图；

图7A至图7D示出根据另一实施方式的可应用于等离子体处理装置的ESC支撑结构的截面图和平面图；

图8A和图8B示出根据实施方式的可分别应用于等离子体处理装置的ESC支撑结构的截面图；