[发明专利]一种硅片晶圆半自动切割工艺在审
| 申请号： | 201811216233.X | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111070439A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 葛建秋;张彦;陈玲 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B24C1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 半自动 切割 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：
（1）从主菜单下，按F2键，工作盘自动的移到显微镜下，此时半自动切割界面出现；
（2）按F4键，单一街区校准界面出现；
（3）完成上述调整后，在执行切割前，应通过选择F5（向后切）和F10（向前切）来选择切割方向，所述确认切割方向后，按“START”键，此时半自动切割开始，机器上面的信号塔的绿灯亮起，主轴自动旋转到设置的转速，切割水自动打开。直到CH1切割完毕，切割的起始点，可以自选；
（4）按“C/T VAC” 键，再按“C/T VAC”键，工作盘自动的向右移动且显微镜移到后面，然后真空关闭。此时可取下工件。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，在步骤（1）中，通过调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧的焦距调节旋钮，使得工件在屏幕上清晰的显示。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，在步骤（2）中，CH1的θ校准和切割区与基准线校准及步进效验方法同自动切割相同。
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