[发明专利]半导体存储器件、存储器系统及其刷新方法

说明书

一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并根据所确定的刷新时间来刷新多个DRAM单元。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月6日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0146808的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文公开的本发明构思的实施例涉及半导体存储器件、半导体存储器件的操作、包括半导体存储器件的存储器系统及其刷新方法。

背景技术

用于各种电子系统中的半导体存储器件的容量和速度正响应于用户对高性能的需求而增加。针对诸如动态随机存取存储器(DRAM)之类的易失性存储器件，以存储在存储单元电容器中的电荷的形式对数据进行存储。由于存储在存储单元电容器中的电荷随着时间的推移而泄漏，所以DRAM具有有限的数据保留特性。

为了解决这种有限的数据保留特性，DRAM执行刷新操作以保留存储在存储单元电容器中的数据。访问DRAM的存储器控制器(诸如DRAM控制器)可以例如通过以下方式管理和控制DRAM：允许DRAM以由DRAM确定的时序执行其刷新操作、或者以由DRAM控制器确定的时序提供刷新指令。DRAM可以根据从主机提供的刷新命令在给定的时段刷新其存储单元。然而，为了控制刷新操作，主机的系统复杂性可能增加。为了对外部命令进行解码和执行刷新操作的目的，DRAM还可以包括诸如命令解码器、定时器等的组件。

在一些系统中，基于给定的场景或特定使用，在预设的时间从DRAM读取数据以及将数据写入DRAM。因此，对DRAM的这种访问可能不是典型的随机访问。例如，在DRAM被用作临时存储图像数据的帧缓冲器的情况下，图像处理处理器基于特定场景定期访问DRAM，而不是随机地访问DRAM。

当基于特定场景访问DRAM时，DRAM可以在没有额外的外部刷新命令的情况下在可能时执行刷新操作。在基于场景被访问的DRAM的情况下，可以提高刷新操作的效率，从而使得可以实现系统的简化和低功率。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种半导体存储器件、系统和刷新方法，其能够基于特定场景提高正在被访问的半导体存储器件的刷新操作的效率。

根据示例性实施例，半导体存储器件包括：单元阵列，其包括用于存储数据的多个DRAM单元；以及刷新控制逻辑器件，其根据从外部源提供的访问场景信息来刷新多个DRAM单元。刷新控制逻辑器件被配置为参考访问场景信息和多个DRAM单元的保留特性来确定多个DRAM单元的刷新时间，并且被配置为根据所确定的刷新时间刷新多个DRAM单元。

根据示例性实施例，存储器系统包括主机和DRAM，主机根据访问场景在数据保留时间期间在缓冲器中记录数据和读取数据。DRAM作为主机的缓冲器被提供，并被配置为根据从主机接收的访问场景的时间信息进行操作。DRAM被配置为对记录有数据的存储区域执行自刷新操作。这种自刷新操作可以限于在数据保留时间期间不允许主机对数据的访问的非操作时段。DRAM的自刷新操作可以使用时间信息并且可以通过外部刷新启用信号来发起。

根据示例性实施例，基于场景在其中写入数据和读取数据的半导体存储器件的刷新方法包括：从外部设备接收取决于访问场景的数据保留时间和包括在数据保留时间中的非操作时段的长度，通过使用非操作时段的长度和存储单元的特性参数来计算写入数据的存储区域的刷新时间，以及在非操作时段期间以取决于计算的刷新时间的时序刷新存储区域。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其他目的以及特征将变得显而易见。

图1是示出了根据本发明构思的实施例的存储器系统的框图